ABS10_ABS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 這款整流橋器件封裝采用ABS工藝，適用于對性能和效率有高要求的電路設計。其擁有VR1000V的額定電壓，確保在高壓條件下穩(wěn)定運行。關鍵參數(shù)VF表現(xiàn)為1V@0.4A，即在0.4A電流下正向壓降僅為1V，實現(xiàn)低功耗與高效能的完美結(jié)合。器件提供最大1A的輸出電流（IO: 1A），適合各類中等電流應用場合。此款半導體整流橋憑借卓越的電氣性能及節(jié)能特性，是電源適配器、驅(qū)動電路等電子設備的理想選擇，助力提升您的設備整體性能與能源利用率。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

ABS10_ABS_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：ABS 類別：整流橋最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1V@0.4A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 1A 參數(shù)4：反向電流(Ir): 10uA@1kV 標價：歡迎咨詢