AON7264E-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級N溝道MOSFET采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，具有出色的功率密度。額定電壓60V，連續(xù)電流高達(dá)40A，適用于小型化、高性能電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及電池管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省與高效能的完美結(jié)合。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

AON7264E-HXY_DFN3x3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3x3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/40A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/15mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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