HXY30N06NF_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

描述: 本款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用DFN5X6-8L封裝，額定電壓60V，連續(xù)電流30A。適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及電池管理系統(tǒng)，提供高效能與緊湊設(shè)計(jì)，是現(xiàn)代電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)高功率密度的理想半導(dǎo)體器件選擇。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

HXY30N06NF_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/60V 參數(shù)3：電流ID/30A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/25mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢