BSC109N10NS3G-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

描述: 產(chǎn)品描述：這款消費(fèi)級(jí)N溝道MOSFET采用先進(jìn)的DFN5X6-8L封裝，具備出色的100V電壓耐受力與高達(dá)75A的連續(xù)電流處理能力，專為高功率、高效率電子設(shè)備設(shè)計(jì)，提供卓越開(kāi)關(guān)性能及低導(dǎo)通電阻，助力提升系統(tǒng)整體效能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

BSC109N10NS3G-HXY_DFN5x6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5x6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤參數(shù)1：N溝道參數(shù)2：電壓VDS/100V 參數(shù)3：電流ID/75A 參數(shù)4：內(nèi)阻R/9.2mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢