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              “干法轉(zhuǎn)移”實現(xiàn)晶圓級單晶二維半導(dǎo)體柔性集成

              2026-04-28 來源:科技日報
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              關(guān)鍵詞: 西湖大學(xué) 單晶二維半導(dǎo)體 柔性基底 干法轉(zhuǎn)移 柔性電子

              ??記者27日從西湖大學(xué)獲悉,該校工學(xué)院孔瑋教授團隊成功實現(xiàn)晶圓級單晶二硫化鉬薄膜在柔性基底上的高質(zhì)量集成,將單晶二維半導(dǎo)體轉(zhuǎn)移集成技術(shù)從“濕法”推進(jìn)到“干法”路線,為突破長期制約高性能柔性電子發(fā)展的技術(shù)瓶頸提供了新路徑。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于《自然·電子》期刊。

              ??以單晶二硫化鉬為代表的二維半導(dǎo)體材料,兼具原子級厚度的柔韌性與卓越電學(xué)性能,是發(fā)展高性能柔性電子器件的重要候選材料。但其潔凈、高質(zhì)量、可規(guī)模化的轉(zhuǎn)移集成一直是行業(yè)難題。此前,這類材料通常通過化學(xué)氣相沉積法在藍(lán)寶石襯底上外延生長,并采用“濕法轉(zhuǎn)移”技術(shù)轉(zhuǎn)移至柔性基底。但該方法需使用聚合物、水或有機溶劑,會在材料表面留下難以根除的殘留,影響材料性能。

              ??研究團隊另辟蹊徑,開發(fā)出基于氧化物的“干法轉(zhuǎn)移”策略:先通過電子束蒸發(fā)沉積一層極薄的三氧化二鋁,用于增強氧化物與二硫化鉬之間的界面結(jié)合;再用原子層沉積技術(shù)覆蓋另一層三氧化二鋁,形成高質(zhì)量高介電常數(shù)柵介質(zhì)層。該轉(zhuǎn)移工藝全程避免二硫化鉬表面與聚合物、水或有機溶劑直接接觸,有效保留材料本征特性。

              ??“基于該工藝,我們構(gòu)建的晶圓級高密度柔性晶體管陣列實現(xiàn)了多項性能突破。”孔瑋介紹。

              ??研究團隊將該晶體管陣列用于主動矩陣觸覺傳感系統(tǒng),并貼合在軟體機器人手爪表面。該系統(tǒng)能夠?qū)崟r感知和繪制壓力分布,幫助機器人識別物體的形狀、位置和大小。(記者劉園園)




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