SK 海力士擬年內試產 238 層 NAND 閃存

SK 海力士在近日舉行的二季度財報電話會議上透露，計劃在年內完成 238 層 NAND 試產，并在 2023 年上半年實現量產。

 

針對美光近期量產 232 層 NAND 的動態，海力士方面表示各家廠商產品發布節奏不同，存儲市場目前應專注于提高盈利能力，海力士的目標是實現行業最高水平的盈利能力。

公司方面還表示，計劃今年年底實現主力產品 176 層 4D NAND 以晶圓形式出貨占比 70%，以進一步提升毛利率。

針對 DRAM 市場行情，海力士方面表示，盡管目前 DRAM 的平均售價（ASP）走低，但成本下降足以彌補 ASP 變化，公司方面預計今年 DRAM 出貨量將增加約 10%，NAND 閃存出貨量增加 20%。