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              SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案

              2022-12-30 來源: 作者:深圳市中電網絡技術有限公司
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              大家說的挖礦就是數字加密貨幣的計算過程,結果是生成“金幣”。"挖礦"特別考驗算力與功耗,單位功耗下算力越高,則代表"挖礦"能力越強,雖然礦機芯片廠商在不遺余力地提升算力,但由于挖礦規模不斷擴大,其消耗的總電量相當驚人且在持續增長。在提升礦機電源系統效率的過程中,SiC(碳化硅)是一項具有代表性的技術,讓礦機持續向著更高功率密度進發。今天我們將為大家介紹SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案。 

               

              SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案


              SiC技術可提升礦機電源效率

              作為半導體材料,SiC具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢,這便給SiC器件帶來了諸多特征參數方面的提升,比如更低的開關損耗和導通損耗,更高的耐壓容量,更高的工作頻率,更高的工作溫度,更高的功率密度等等,而這些都是提升礦機電源功率以及電能轉化效率的好辦法。

               

              在提升電源功率方面, SiC是能夠承受高電壓和大電流的新型半導體,因此對于功率提升是其天然的優勢,能給礦機電源帶來積極的變化。同時,由于SiC器件相較于傳統的Si器件擁有更低的開關損耗和導通損耗,因此能夠顯著減少系統中的散熱器件,并借助創新拓撲減小電容等無源器件的尺寸,實現更高的功率密度。

               

              SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案

               

              在提升電能轉化效率方面,SiC器件具有非常低的導通電阻,那么開發人員就能夠借此實現更高的開關頻率,實現更高的效率水平。對于傳統的Si器件而言,想要實現更高的效率水平,系統設計的難度會成倍增加,并且往往最終量產的功率芯片面積會較大。而大家都知道,功率芯片的價格通常與總芯片面積成正比,因此產品吸引力會大大下降。

               

              除了大家最為關注的功率和效率,實際上在具體電路中,SiC器件相較傳統Si器件在熱擊穿、電壓/電力浪涌保護等方面都表現的更出色,這也就意味著SiC器件能夠給電源系統帶來更高的穩定性。無疑,這些都是礦機電源迫切需要的。從礦機電源的歷史發展軌跡來看,目前已經走過了小功率和粗獷大功率時代,全面進入高度定制的精細化大功率時代。在此過程中,SiC器件能夠幫助礦機在效率、可靠性和熱管理等方面帶來巨大的提升。

               

              SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案


              應用在礦機電源系統中的SiC器件


              在眾多的SiC器件中,SiC FET通常會被認為是一種接近理想的開關方案,通過采用共源共柵結構,在性能表征(FoM)方面取得了好的效果,甚至是超越了同陣營的SiC MOSFET。

               

              SiC FET 產品相關信息


              ①UJ4C075060K3S

               

              SiC技術在礦機電源系統中的產品和方案

               

              UJ4C075060K3S是UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET產品,基于獨特的共源共柵電路配置打造,擁有諸多優秀的性能。如上圖所示,這些性能表征的改善即便是與同為SiC器件的SiC MOSFET相比都是顯而易見的,我們在此進行一下更詳細的解讀。

               

              在RDS(on)方面,UJ4C075060K3S提供60m?超低RDS(on),并且單位面積通態電阻更低,本征電容也很低;降低了Coss(er)/Eoss和Coss(tr);改善Qrr和Eon/Eoff在指定RDS(on)下的損耗。因而,在硬開關應用中,UnitedSiC第4代FET表現出超低的RDS(on)x EOSS,從而降低了導通和關斷損耗。

               

              在產品使用方面,UJ4C075060K3S可用標準0V至12V或15V柵極驅動電壓安全驅動,與所有Si IGBT、Si FET和SiC FET驅動電壓一樣,因此能夠持“直接替代”現有的Si IGBT、Si FET、SiC FET或Si超級結器件,從而顯著提高系統性能,而無需改變柵極驅動電壓。此外,UJ4C075060K3S的優秀性能還包括出色的反向恢復、優秀的體二極管性能、低柵極電荷以及ESD保護等。

               

              ②UJ4C075060K3S


              這款器件同樣屬于UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET產品系列,和UJ4C075060K3S的區別在于封裝。此外還有四引線TO-247-4封裝,也就是UJ4C075060K4S。

               

              上述性能優勢,UJ4C075060K4S全部都具備。當然,由于采用四引線TO-247-4封裝,UJ4C075060K4S也有與UJ4C075060K3S不同的地方。通過開爾文源極設計,UJ4C075060K4S顯著降低了開關損耗和柵極振鈴。同時,TO-247-4封裝相較于TO-247-3L封裝,不僅可以簡化驅動設計,而且還消除了柵極驅動回路中源極的封裝電感部分,縮短驅動路徑,減小雜散參數,加強驅動設計的可靠性。

               

              UnitedSiC UJ4C系列第四代750V SiC FET面向的應用領域。除了可用于礦機電源系統,第四代750V SiC FET在工業充電、電信整流器、數據中心PFC直流轉換、可再生能源和儲能應用中具有廣泛的應用前景。需要特別指出的是,第四代750V SiC FET符合AEC-Q101標準,也能夠加速寬帶隙器件在汽車充電領域的快速發展。

               

              總結:


              SiC技術可提升礦機電源效率和可靠性,這也是SiC天然的優勢,能給礦機電源帶來積極的變化。所以在提升礦機的用電效率,追求“挖礦”收益最大化這一事情上,SiC器件起著至關重要的作用。

               

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