用14/28nm工藝做出7nm芯片的性能，是中國芯接下來要努力的方向

美國對中國的芯片制裁，近日又傳出了新消息，那就是美國已經(jīng)聯(lián)合上了荷蘭和日本，就限制向中國出口先進芯片制造設備達成協(xié)議。

中間會涉及到ASML、尼康、東京電子等企業(yè)的設備產(chǎn)品，主要是光刻機、半導體材料等等，特別是14nm及以下的設備、材料不準賣給中國廠商。

事實上，大家都清楚，美國的目標很直白，就是要鎖死我們的芯片工藝在14/16nm，不讓我們進入16/14nm以下先進邏輯制程，聯(lián)合荷蘭、日本的目的也是希望這個目標能順利實現(xiàn)。

這樣中國的芯片能力，就只能停留在成熟（落后）階段，這樣中國就得一直依賴美國的芯片，除了花巨資進口外，還要被美國卡脖子。

那么如何在當前這種困難局勢下，進行突破？方向很簡單，那就是國產(chǎn)供應鏈進行突破，比如實現(xiàn)EUV光刻機，實現(xiàn)其它半導體設備、半導體材料的量產(chǎn)，達到更先進的工藝，比如7nm、5nm等，這樣封鎖就不攻自破了。

但大家都清楚，這種突破不是短時間之內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)的，得集3年、5年、甚至10年之功才行，所以期待國產(chǎn)供應鏈短時間內(nèi)替代，是不可能做到的。

那么接下來，中國芯的方向，則是利用現(xiàn)在已經(jīng)擁有的14nm/28nm工藝，來實現(xiàn)7nm的性能， 甚至達到5nm、3nm這樣的性能。

估計會有網(wǎng)友認為，這怎么可能？如果28nm/14nm能實現(xiàn)7nm的芯片，那還要7nm工藝做什么？

先別急著下結論，用28nm/14nm工藝，實現(xiàn)現(xiàn)有的7nm芯片的水平，并不是天方夜談，有幾種方式的。

比如用新的材料，比如碳化硅，碳基等之前已經(jīng)有科學家驗證過，如果用碳基芯片，40nm就能達到7nm的性能水平。

另外是在芯片的工藝、架構上下功夫，進行創(chuàng)新，此外還可以用小芯片（Chiplet）的技術，進行芯片堆疊等。

還可以從芯片的功耗、尺寸等方面出發(fā)，盡可能的壓榨出當前我們掌握的14nm/28nm工藝的極限，就像intel打磨14nm工藝就好幾年，還讓intel的14nm芯片，也不輸給AMD的7nm芯片，這是一樣的道理。

當然，要實現(xiàn)這個不容易，但也不是沒有可能的，你覺得呢？畢竟現(xiàn)在沒有更好的路可走，我們只能基于現(xiàn)有的已經(jīng)掌握的技術，來實現(xiàn)更大的可能性。