三星減產DRAM關鍵原因：研發松懈，降成本速度減慢？

4月14日，據韓國媒體The Elec報導，消息顯示，三星導入更先進制程以降低DRAM成本的速度進一步趨緩，這或許也是三星不得不跟進美光、SK 海力士減產的一個原因。因為，如果能快速引入先進制程，那么降低成本的速度就能快一些，三星或許就不必減產，還可趁著產業景氣衰退之際擴大市占率。

據報導，三星搶在對手之前采用極紫外光（EUV）光刻設備，可能也是重創利潤的原因。EUV制程昂貴，目前還無法發揮最大潛能。不過，三星提早采用EUV，未來提升生產力的速率也會比對手快。

對于10nm范圍的DRAM，存儲廠商一般不會披露精確的制程節點，而是稱之為1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）納米。其中，1z大約介于13~11納米。業者也于最近發表第四代的1a納米。

根據集邦科技統計，2022年第四季美光的1a納米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內，1z納米DRAM市占排名則依序為三星（46.1%）、SK海力士（32.3%）、美光（29.9%）。美光制造的1a納米 DRAM比競爭對手多，主要是因為該公司并未采用EUV，而是使用多重圖案化（multiple patterning；MP）技術。美光預定2024年才會在1c納米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰、維持領導地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是“借口”。部分內部人甚至說，過去五年三星在研發新技術方面有點懈怠；該公司剛開始制造雙棧（double-stack）NAND Flash（V7）時也遇到困難。

三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣布削減存儲芯片產量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢采購。

SK海力士副董事長Park Jung-ho 3月29日在股東大會上宣布下砍營業支出計畫，為十年以來頭一遭。他說，該公司過去曾積極投資擴產，但現在準備以更具彈性的方式調整產能策略。他表示，“我們去年的資本支出多達19兆韓元（相當于146億美元），今年準備刪減一半以上”。

Park以囚徒困境（prisoner‘s dilemma，指個人的選擇不符團體最佳利益）來形容DRAM產業持續衰退的現象。他說，“即便我們一再重申不跟進，客戶參與賽局的方式依舊猶如囚徒困境。每當產業景氣下滑，過剩的芯片供給終將導致價格跌勢惡化。”