臺積電3納米受挫，跟隨中國芯開辟新賽道，彎道超車能成功么？
日前媒體爆料指臺積電在芯片技術方面早已布局硅光芯片，而它研發這項技術已有數年之久，它的硅光芯片工藝已達到7納米，預計明年就能投入量產，這是在中國芯片研發硅光芯片之后，又一個重大消息。
臺積電研發硅光芯片，在于它如今在3納米工藝受挫，目前以3納米工藝生產的蘋果A17處理器性能僅提升了10%，而功耗卻較高，成本增加兩成，昂貴的成本卻無法帶來相應的性能提升，導致高通、聯發科等已放棄3納米工藝而繼續采用4納米工藝。
業界人士認為臺積電、三星其實早在7納米工藝之后就已難以在傳統的硅基芯片工藝技術上取得進展，難以縮短芯片柵極間距，此后的7納米、5納米工藝其實都并非根據摩爾定律進行命名，而是在提升了三成性能的情況下就對新工藝命名，玩的是數字游戲，對此Intel也曾強烈質疑。
只不過到了3納米工藝，這種數字游戲也難玩下去了，A17處理器僅提升了一成的性能，與臺積電宣稱的3納米工藝可以提升三成性能完全無法比，由此導致臺積電陷入窘境，如果僅靠蘋果一家廠商，臺積電投入近2000億研發的3納米工藝將難以回收成本。
中國芯片方面則由于難以獲得先進的EUV光刻機，更早研發新的芯片技術，除了上述提到的硅光芯片之外，中國芯片還在光子芯片、量子芯片等技術進行布局，并已取得一些成績。
光子芯片、量子芯片等先進芯片技術可以將芯片性能提升千倍以上，而功耗卻可以降低至目前硅基芯片的千分之一，不過這些先進芯片技術還面臨太多技術難題，因此中國芯片將光子芯片與硅基芯片技術結合，研發硅光芯片。
硅光芯片仍然會以硅基為基座，不過內核傳輸以光為介質，可以大幅提升數據傳輸速率，性能可以比硅基芯片提升100倍，如此可以大幅降低芯片技術研發難度，又能利用現有的硅基芯片技術，此前中國已有諸多機構發布了相關的硅光芯片技術。
臺積電作為全球最先進的芯片代工廠，恐怕也認識到硅基芯片的局限，繼續沿著原來的技術發展方向發展先進工藝總會達到天花板，尤其是在10納米之后，因此它也早早研發硅光芯片技術。
臺積電推進硅光芯片技術，證明了中國研發硅光芯片是一條可行的途徑，如今中國的芯片制造工藝已量產14納米，業界猜測7納米工藝可能已在試產，國產5G手機很可能就是國產化的7納米工藝。
如此中國可以依托現有的硅基芯片工藝研發出媲美臺積電的7納米硅光芯片技術，從而一舉達到世界先進水平。這也將打破臺積電獨占7納米硅光芯片技術的計劃，中國芯片將真正實現彎道超車。
硅光芯片技術對于中國芯片非常有意義，由于眾所周知的原因，美國一直在限制中國發展先進芯片，拉攏日本、荷蘭限制對中國提供7納米及以下的先進芯片設備和材料，而硅光芯片技術將讓中國無需再依賴它們，而以國產化的技術達到世界先進水平。
