尼康推出浸潤式 ArF 光刻機 NSR-S636E，時隔二十多年再發(fā)新品
12 月 7 日消息，尼康官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布推出浸潤式 ArF 光刻機新品 NSR-S636E，將于明年 1 月開售。
據(jù)介紹，NSR-S636E 是尼康光刻系統(tǒng)中生產率最高的產品，是一款用于關鍵層的浸潤式光刻機。
尼康表示，隨著數(shù)字化轉型的加速，能夠更快地處理和傳輸大量數(shù)據(jù)的高性能半導體變得越來越重要。尖端半導體性能技術創(chuàng)新的關鍵推動因素是電路小型化和 3D 半導體器件結構，而 ArF 浸潤式光刻機對這兩種制造工藝都至關重要。與傳統(tǒng)半導體相比，在 3D 半導體制造過程中更容易發(fā)生晶圓翹曲和失真，因此需要比以往任何時候都更先進的光刻機校正和補償能力。
NSR-S636E ArF 光刻機利用增強型 iAS（inline Alignment Station），在曝光前執(zhí)行復雜的晶圓多點測量。這一系統(tǒng)利用高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和失真校正功能，提供了更高的重疊精度，同時保持了最大的吞吐量。
尼康表示，與當前型號相比，NSR-S636E 的生產效率提高了 10-15%。
從尼康官網(wǎng)參數(shù)表獲悉，NSR-S636E 光刻機支持 38nm 以下精度，吞吐量可達 280 片晶圓 / 小時。
據(jù)日經(jīng)新聞此前報道，時隔二十多年，尼康將于 2024 年投放光刻機新產品，通過尋求逆勢開拓中國大陸市場，以實現(xiàn)卷土重來。
報道還稱，尼康和佳能曾在 1990 年代之前主導市場，但在最尖端的極紫外（EUV）設備的開發(fā)競爭中敗給了 ASML。極紫外光刻機在 2010 年后半期實用化，全世界只有 ASML 能夠生產。另一方面，尼康的經(jīng)營資源分散在各種光源上，缺乏強勢領域。
