SK海力士引進存儲器業界首臺量產型High NA EUV設備

• 下一代半導體制造核心設備EXE:5200B成功引入韓國利川M16廠，慶祝儀式于9月3日舉行

• 相較于現有EUV設備，其精密度和集成度可分別提升1.7倍和2.9倍，確保下一代半導體存儲器的量產競爭力

• 車宣龍副社長：“將以最先進技術開發核心產業所需的高端存儲器，引領面向AI的存儲器市場”

韓國首爾，2025年9月3日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）3日宣布，已將業界首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV*）引進韓國利川M16工廠，并舉行了設備入廠慶祝儀式。

* 高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV，High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography): 擁有比現有EUV更高數值孔徑（NA**），可大幅提升分辨率的下一代光刻機。能夠繪制當前最微細的電路圖案，預計將在縮小線寬和提升集成度方面發揮關鍵作用。

** 數值孔徑（NA，Numerical Aperture)：用來衡量透鏡匯聚光線能力的數值。NA值越大，電路圖案繪制的精密度越高。

當日舉行的設備入廠慶祝儀式上，ASML韓國公司總經理金丙燦社長、SK海力士未來技術研究院長兼技術總管（CTO，Chief Technology Officer）車宣龍副社長、SK海力士制造技術擔當李秉起副社長等領導共同出席，慶祝下一代DRAM生產設備的引進。

SK海力士表示：“在全球半導體市場競爭愈發激烈的背景下，公司已成功構建起快速研發并供應高端產品以滿足客戶需求的堅實基礎。通過與合作伙伴的密切協作，公司將進一步提升全球半導體供應鏈的可靠性和穩定性。”

半導體制造公司為了提升產品性能和生產效率，微細制程技術的優化顯得尤為重要。電路圖案制作越精密，每塊晶圓上可生產的芯片數量就越多，同時也能有效提高能效與性能。

SK海力士自2021年首次在第四代10納米級（1a）DRAM中引入EUV技術以來，持續將EUV應用擴展至先進DRAM制造領域。然而，為了滿足未來半導體市場對超微細化和高集成度的需求，引進超越現有EUV的下一代技術設備必不可少。

此次引進的設備為荷蘭ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量產型High-NA EUV設備。與現有的EUV設備（NA 0.33）相比，其光學性能（NA 0.55）提升了40%，這一改進使其能夠制作出精密度高達1.7倍的電路圖案，并將集成度提升2.9倍。

SK海力士計劃通過引進該設備，簡化現有的EUV工藝，并加快下一代半導體存儲器的研發進程，從而確保在產品性能和成本方面的競爭力。此舉有望鞏固其在高附加值存儲器市場中的地位，并進一步夯實技術領導力。

ASML韓國公司總經理金丙燦社長表示：“High NA EUV是開啟半導體產業未來的核心技術。我們將與SK海力士緊密合作，積極推動下一代半導體存儲器技術的創新進程。”

SK海力士未來技術研究院長兼技術總管（CTO，Chief Technology Officer）車宣龍副社長表示：“通過此次設備引進，SK海力士為實現公司未來技術發展愿景奠定了核心基礎設施。公司將以最先進技術，為快速增長的AI和新一代計算市場開發所需高端存儲器，引領面向AI的存儲器市場。”