臺積電硅光子 技壓英特爾

臺積電強(qiáng)攻硅光子技術(shù)，技壓英特爾。日媒披露，臺積電在美國最新硅光子申請專利數(shù)量較英特爾多近一倍。硅光子是英偉達(dá)下一代AI服務(wù)器高速傳輸必備技術(shù)，臺積電重兵部署，打造強(qiáng)大專利能量，集結(jié)旗下封裝大廠采鈺大進(jìn)擊，技壓群雄，搶攻AI大商機(jī)。

臺積電大客戶英偉達(dá)是推動硅光子技術(shù)導(dǎo)入商品化的關(guān)鍵動能。英偉達(dá)日前于“HotChips 2025”大會上，首次展示采用共封裝光學(xué)（CPO）元件的Spectrum-X交換器，宣告此技術(shù)已進(jìn)入實(shí)現(xiàn)階段，即將推出商用產(chǎn)品，宣告CPO浪潮快速崛起。

隨著AI數(shù)據(jù)傳輸量愈來愈大，硅光子成為打造超高速傳輸?shù)年P(guān)鍵技術(shù)，吸引英偉達(dá)積極投入，同步引爆商機(jī)。業(yè)界指出，英偉達(dá)將于下世代Rubin平臺大量導(dǎo)入硅光子技術(shù)，采用CoWoS與SoIC等2.5D 3D封裝，并引入硅光子與可能的CPO協(xié)同，降低電互連瓶頸與功耗。

臺積電積極投入硅光子研究，之前于2025年北美技術(shù)論壇中，強(qiáng)調(diào)硅光子技術(shù)的整合進(jìn)展，特別是其研發(fā)的緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術(shù)，通過將電子裸晶堆疊在光子裸晶之上，以應(yīng)對AI發(fā)展帶來的數(shù)據(jù)傳輸爆炸性增長。

臺積電規(guī)劃，將于2025年完成COUPE驗(yàn)證，并于2026年整合至CoWoS封裝，成為共同封裝光學(xué)元件，以期通過更高性能的連結(jié)來推動AI轉(zhuǎn)型。

臺積電并與ASIC暨高速網(wǎng)絡(luò)芯片大廠邁威爾深化合作，鎖定3nm以下制程與下一代硅光子技術(shù)，擴(kuò)大進(jìn)擊硅光子商機(jī)。

臺積電也建立厚實(shí)的光通信數(shù)據(jù)庫，作為后續(xù)搶市強(qiáng)大依靠。日媒使用知名專利情報網(wǎng)站Patentfield的工具后發(fā)現(xiàn)，臺積電2024年在美國申請50件硅光子相關(guān)專利，數(shù)量比英特爾的26件多了近一倍。

2023年時，臺積電、英特爾硅光子專利申請數(shù)勢均力敵（分別為46件、43件）。此前，英特爾硅光子相關(guān)專利申請數(shù)遠(yuǎn)超過臺積電。如今臺積電順利超車，據(jù)報導(dǎo)，英特爾在研發(fā)上居于領(lǐng)先，不過在實(shí)際應(yīng)用上、被臺積電超越，臺積電規(guī)劃2026年量產(chǎn)使用最新CPO，反觀英特爾僅止于研發(fā)／實(shí)證階段。

臺積電并攜手子公司采鈺共同揮軍硅光子商機(jī)，業(yè)界傳出，雙方將進(jìn)一步整合硅光子、CPO等技術(shù)，有望成為采鈺后續(xù)運(yùn)營的另一個動能。

業(yè)界分析，采鈺具備晶圓級光學(xué)薄膜制程，能夠往光耦合接收端與發(fā)射端的對準(zhǔn)、光效能強(qiáng)化以及積體光路（PIC）晶片領(lǐng)域發(fā)展，同時將可利用微透鏡（Metalens）增加客戶光傳輸耦合效率。