俄羅斯發(fā)布EUV光刻機路線圖：2036年實現(xiàn)10nm以下制程芯片制造

俄羅斯科學院微結構物理研究所制定了國產極紫外（EUV）光刻設備的長期發(fā)展路線圖，該設備工作波長為11.2nm。新項目從2026年開始，采用40nm制造技術，并延伸至2037年，涵蓋10nm以下制造工藝。

最引人注目的是，擬議的EUV系統(tǒng)避免復制ASML設備的架構。相反，他們計劃采用一套完全不同的技術：混合固態(tài)激光器、氙氣等離子體光源，以及由釕和鈹（Ru/Be）制成的反射鏡，這些反射鏡可反射11.2nm波長的光。ASML的EUV設備選擇使用氙氣而非錫液滴，可以消除損壞光掩模的碎屑，從而大幅減少維護工作。同時，與ASML的DUV設備相比，更低的復雜性意味著可以避免在先進節(jié)點中使用高壓浸沒液和多重圖案化步驟。

該路線圖包括三個主要階段。

第一階段（2026-2028年）計劃推出一款40nm工藝能力的光刻機，配備雙鏡物鏡，10nm套刻精度，曝光場高達3 x 3 mm，吞吐量超過每小時五片晶圓。

第二階段（2029-2032年）將引入一款28nm（未來有望實現(xiàn)14nm）的掃描儀，采用四鏡光學系統(tǒng)，提供5nm套刻精度，26 x 0.5 mm的曝光場，以及超過每小時50片晶圓的輸出。

第三階段（2033-2036年）瞄準10nm以下制程生產，配備六鏡配置，2nm套刻對齊，曝光場尺寸高達26 x 2 mm，設計吞吐量超過每小時100片晶圓。

在分辨率方面，這些工具預計將支持從65nm到9nm的范圍，滿足2025年至2027年許多當前和未來關鍵層的要求。每一代都提高了光學精度和掃描效率，同時與ASML的Twinscan NXE和EXE平臺相比，大概能保持顯著較低的單位成本結構。

值得注意的是，開發(fā)者聲稱使用EUV技術在落后節(jié)點上帶來了一些意想不到的好處。然而，他們并未提及使用11.2nm波長激光所帶來的復雜性（如不同類型的鏡片、不同的拋光工具、不同的光學器件、不同的光源、不同的電源單元、光刻膠等），這是一個非行業(yè)標準的EUV光刻波長。

總體而言，這份路線圖或許勾勒出了俄羅斯通過規(guī)避傳統(tǒng)EUV限制實現(xiàn)芯片生產自給自足的計劃。然而，該計劃的可執(zhí)行性尚不明確，因為它是否會超越整個行業(yè)，這一點還有待證實。