SEMI：2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將首次超過1000億美元

SEMI最新報告顯示，預(yù)計從2026年到2028年，全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將達到3740億美元。SEMI預(yù)計2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備支出將首次超過1000億美元，增長7%，達到1070億美元。

SEMI報告預(yù)測，2026年投資將增長9%，達到1160億美元；2027年增長4%，達到1200億美元；2028年將增長15%，達到1380億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“半導(dǎo)體行業(yè)正進入一個前所未有的變革時代，這一變革由AI技術(shù)帶來的巨大需求以及對區(qū)域自主化的重新聚焦所驅(qū)動。全球戰(zhàn)略性投資與合作正在推動先進供應(yīng)鏈的建設(shè)，加快下一代半導(dǎo)體制造技術(shù)的部署。300mm晶圓廠的全球擴張將推動數(shù)據(jù)中心、邊緣設(shè)備以及數(shù)字經(jīng)濟的進步。”

細分市場來看，邏輯和微電子領(lǐng)域?qū)⒃?026至2028年間以1750億美元的設(shè)備投資總額領(lǐng)先。受益于2nm以下制程產(chǎn)能的建設(shè)，代工廠將成為主要推動力。更先進的1.4nm工藝預(yù)計將在2028至2029年進入量產(chǎn)。此外，AI性能提升也將推動邊緣設(shè)備（如汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)和機器人）市場的快速增長。除先進制程外，所有節(jié)點的需求也將顯著上升，推動成熟制程設(shè)備投資。

存儲預(yù)計將在三年間以1360億美元的支出位居第二，標(biāo)志著該領(lǐng)域新一輪增長周期的開始。其中，DRAM相關(guān)設(shè)備投資預(yù)計將超過790億美元，3D NAND投資將達到560億美元。模擬相關(guān)領(lǐng)域預(yù)計將在未來三年內(nèi)投資超過410億美元。包括化合物半導(dǎo)體在內(nèi)的功率相關(guān)領(lǐng)域預(yù)計將在2026至2028年間投資270億美元。

按地區(qū)來看，中國大陸預(yù)計將繼續(xù)領(lǐng)先全球300mm設(shè)備支出，2026至2028年間投資總額將達940億美元。韓國預(yù)計將以860億美元的投資額位居全球第二，支撐全球生成式AI需求。中國臺灣預(yù)計將在三年內(nèi)投資750億美元，排名第三，投資將主要集中在2nm及以下制程，以維持其在先進代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。美洲預(yù)計將在2026至2028年間投資600億美元，升至第四位。（校對/趙月）