三星電子考慮解散1c DRAM良率專項(xiàng)小組 拼年內(nèi)量產(chǎn)HBM4

據(jù)一位熟悉三星電子內(nèi)部消息人士10月15日透露，三星電子正積極考慮解散致力于提升10nm級(jí)第六代（1c）DRAM良率的特別工作組，轉(zhuǎn)而專注于年內(nèi)實(shí)現(xiàn)下一代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4的量產(chǎn)。這一決定反映了三星迫切致力于在年內(nèi)優(yōu)先為英偉達(dá)量產(chǎn)HBM4的承諾。

該特別工作組由存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門的核心人員組成，旨在提升下一代DRAM的良率，是在去年全永鉉副董事長(zhǎng)上任后成立的，目前擁有400至500名員工。

10納米級(jí)DRAM制程技術(shù)的發(fā)展順序如下：1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）、1a（第四代）和1b（第五代）。隨著制程進(jìn)展到第六代（1c），線寬不斷變窄，工藝難度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，容量和性能也隨之提升。

變數(shù)在于，由于工藝難度高，提高1c DRAM的良率面臨困難。據(jù)報(bào)道，三星電子目前正在開發(fā)的HBM4用1c DRAM在冷測(cè)試（Cold Test）中未能達(dá)到50%的良率。要達(dá)到通常被認(rèn)為是量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的60%的良率并開始內(nèi)部量產(chǎn)審批（PRA）工藝，還需要相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間。冷測(cè)試是一種可靠性測(cè)試，通過(guò)在極低溫度環(huán)境下運(yùn)行芯片來(lái)驗(yàn)證電路的電氣特性和穩(wěn)定性。

三星電子原計(jì)劃在第三季度完成HBM4 1c DRAM的PRA流程。然而，最近有報(bào)道稱，該公司已跳過(guò)這一流程，直接著手建立HBM4的量產(chǎn)體系。

SK海力士于9月建立了全球首個(gè)HBM4量產(chǎn)系統(tǒng)，并采用1b DRAM作為其HBM4的“核心芯片”。而三星電子則采用了下一代1c DRAM。作為一家尋求重大變革的后來(lái)者，三星電子的這一決定理論上可以實(shí)現(xiàn)更快、更節(jié)能的產(chǎn)品。

一位熟悉該公司的消息人士解釋說(shuō)：“三星電子管理層認(rèn)為，如果他們能夠在DRAM良率較低的情況下，提供比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手更好的HBM4性能，他們就能改變目前由SK海力士主導(dǎo)的市場(chǎng)格局。這解釋了他們采取‘精選與專注’戰(zhàn)略的原因，甚至冒著解散負(fù)責(zé)提高1c DRAM良率的工作組的風(fēng)險(xiǎn)，以加速HBM4的量產(chǎn)。”

但有業(yè)內(nèi)人士指出：“管理層只注重進(jìn)入英偉達(dá)供應(yīng)鏈，而忽視良率提升的策略，很容易導(dǎo)致盈利能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的喪失。”（校對(duì)/趙月）