三星HBM4芯片沖刺英偉達(dá)認(rèn)證，12月見分曉

三星電子與英偉達(dá)合作的HBM4內(nèi)存芯片認(rèn)證測試已接近尾聲，預(yù)計12月公布的結(jié)果將標(biāo)志著該公司近年來在高端內(nèi)存市場取得最重大的復(fù)蘇之一。與此同時，還有報道稱，三星已對其內(nèi)存研發(fā)部門進(jìn)行重組，以穩(wěn)定HBM的生產(chǎn)。

報道稱，三星的HBM4評估已進(jìn)入最后階段，最早可能于2025年12月完成。初步評估結(jié)果顯示，HBM4在速度、能效和可靠性方面均表現(xiàn)良好。

三星的HBM4樣品已超過英偉達(dá)下一代GPU所需的11Gbps傳輸速率。這標(biāo)志著三星在HBM3E周期中遭遇了逆轉(zhuǎn)，當(dāng)時由于良率和穩(wěn)定性問題而落后于競爭對手。在HBM4階段，三星通過將增強(qiáng)型1c級DRAM與4nm邏輯基片相結(jié)合，縮小與競爭對手的差距。這種配置對于應(yīng)對超過11Gbps傳輸速率后出現(xiàn)的發(fā)熱量和功耗急劇上升至關(guān)重要。

行業(yè)分析師表示，預(yù)計12月初公布的最終結(jié)果可能會重新平衡HBM市場格局。如果認(rèn)證成功，三星的樣品出貨速度將加快，客戶群體也將更加多元化，市場結(jié)構(gòu)將轉(zhuǎn)向更加均衡的兩家供應(yīng)商格局。

如果三星獲得英偉達(dá)的批準(zhǔn)，分析師認(rèn)為這將是該公司多年來最強(qiáng)勁的反彈，并可能從2025年開始重塑內(nèi)存市場格局。隨著微軟、Meta和谷歌等云服務(wù)提供商鎖定2025年和2026年的HBM供應(yīng)，采購模式正從短期周期轉(zhuǎn)向基于成熟制造可靠性的長期合同。

英偉達(dá)也在尋求避免過度依賴單一內(nèi)存供應(yīng)商。三星HBM4的強(qiáng)勁表現(xiàn)將有助于其供應(yīng)商多元化戰(zhàn)略。

HBM4對工程技術(shù)提出了極高的要求，包括精確的TSV對準(zhǔn)、成熟的DRAM工藝以及在11Gbps以上速率下嚴(yán)格的散熱和電源管理控制。雖然三星被認(rèn)為在這些領(lǐng)域已經(jīng)取得穩(wěn)定的研發(fā)成果，但早期量產(chǎn)的良率仍然是最大的不確定因素。

業(yè)內(nèi)人士警告稱，如果測試結(jié)果不盡如人意，競爭對手可能會進(jìn)一步鞏固其領(lǐng)先地位。HBM4被認(rèn)為是行業(yè)內(nèi)“最關(guān)鍵的戰(zhàn)場”，明年的市場格局將很大程度上取決于英偉達(dá)的決定。

三星已成立整合的內(nèi)存研發(fā)部門，并將HBM研發(fā)團(tuán)隊劃歸其設(shè)計部門。此次重組由三星副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)，推翻了2024年為解決良率問題而將HBM團(tuán)隊剝離的決定。

三星用于HBM4的1c級DRAM近期良率已達(dá)到70%左右，這增強(qiáng)了三星內(nèi)部對HBM相關(guān)研發(fā)和制造趨于穩(wěn)定的信心。

三星計劃通過將更先進(jìn)的DRAM工藝與下一代芯片技術(shù)相結(jié)合，推進(jìn)其在HBM4、HBM4E以及未來HBM5領(lǐng)域的研發(fā)路線圖。行業(yè)分析師表示，英偉達(dá)的最終認(rèn)證結(jié)果將在很大程度上決定三星從2025年起的競爭力，以及HBM市場是否會轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定的雙供應(yīng)商結(jié)構(gòu)。（校對/趙月）