DRAM“鎖量不鎖價(jià)”成主流 供需平衡拐點(diǎn)，料落在2027年

存儲(chǔ)廠(chǎng)與大客戶(hù)簽訂的長(zhǎng)期供貨合約（LTA），已由過(guò)去“鎖價(jià)又鎖量”，轉(zhuǎn)為以“鎖量、不鎖價(jià)”為主流架構(gòu)。新類(lèi)型長(zhǎng)期供貨合約的核心，在于確保產(chǎn)能優(yōu)先順序與出貨穩(wěn)定性，但價(jià)格仍隨市況浮動(dòng)，保留報(bào)價(jià)彈性空間。

供應(yīng)鏈指出，華邦電、南亞科目前對(duì)外簽訂的LTA，多為鎖量不鎖價(jià)，年期由一年期拉長(zhǎng)至至少兩年起跳，部分大客戶(hù)甚至談到接近2030年的長(zhǎng)期合作框架。產(chǎn)業(yè)人士直言，LTA能替供應(yīng)商帶來(lái)最低獲利保障與產(chǎn)能利用率穩(wěn)定度，但在不鎖價(jià)前提下，毛利率天花板同樣被鎖死，屬于“不會(huì)虧，但也賺不大”。

法人指出，2026年DRAM供需緊俏格局可望延續(xù)至年底，DDR4價(jià)格高檔時(shí)間明顯拉長(zhǎng)。隨著一線(xiàn)存儲(chǔ)廠(chǎng)持續(xù)將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高頻寬存儲(chǔ)（HBM）與先進(jìn)制程，一般型DRAM新增供給受限，成熟制程DRAM的結(jié)構(gòu)性吃緊態(tài)勢(shì)短期難解。

市場(chǎng)預(yù)期，2026年HBM整體市場(chǎng)產(chǎn)值將年增57％，位元出貨年增68％，HBM投片量占整體DRAM供給比重達(dá)23％，對(duì)一般型DRAM形成明顯排擠效應(yīng)，進(jìn)一步壓縮可用產(chǎn)能。

需求端方面，AI與服務(wù)器仍為主要增長(zhǎng)動(dòng)能。2026年Server相關(guān)DRAM位元需求占比將達(dá)47％，其中，AI Server DRAM需求已接近整體Server DRAM的34％，顯示AI持續(xù)重塑存儲(chǔ)需求結(jié)構(gòu)，并推升高端產(chǎn)品比重。

價(jià)格走勢(shì)方面，產(chǎn)業(yè)界人士認(rèn)為，DRAM供需緊俏將維持至2026年底，Server DRAM供需差預(yù)估達(dá)15％，有助支撐報(bào)價(jià)高檔運(yùn)行。2027年隨新增供給逐步浮現(xiàn)，產(chǎn)業(yè)將從“極度緊俏”走向“結(jié)構(gòu)性再平衡”。

在終端產(chǎn)品影響上，存儲(chǔ)漲價(jià)對(duì)AI Server成本影響相對(duì)輕微，但對(duì)General Server、PC與Smartphone衝擊較大。市場(chǎng)估算，若DRAM／NAND漲價(jià)10％，對(duì)整機(jī)價(jià)格影響約為：AI Server0.4％、Server2.7％～5.5％、PC2％～2.3％、Smartphone0.7％～1.3％。

展望后市，隨2026年價(jià)格循環(huán)仍處高檔、HBM排擠效應(yīng)延續(xù)，以及2027年潛在新增供給逐步浮現(xiàn)，DRAM產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)折，供需再平衡拐點(diǎn)極可能落在2027年。