SK海力士全球首發1c工藝LPDDR6，性能狂飆33%

3月10日，韓國存儲巨頭SK海力士正式宣布，成功基于其最先進的第六代10納米級（1c）工藝，開發出全球首款16Gb LPDDR6 DRAM內存產品。

該公司表示，目前已完成該產品的開發驗證工作，計劃于2026年上半年全面完成量產準備，并于下半年正式啟動供貨。這將進一步豐富SK海力士面向AI應用優化的DRAM產品線，鞏固其在高端移動存儲市場的領導地位。

LPDDR（低功耗雙倍數據速率）內存一直是移動設備的“心臟”，其性能直接決定了設備的響應速度與續航能力。從LPDDR1到LPDDR5X，每一代標準的迭代都伴隨著移動生態的繁榮。而此次LPDDR6的問世，則是為了應對生成式AI在端側部署帶來的嚴苛挑戰。

SK海力士此次采用的1c（1γ）工藝節點，是其第六代10納米級DRAM制造技術。相比競爭對手三星電子目前采用的12納米制程，SK海力士在制程微縮上顯然快人一步。這種先進的工藝不僅提升了晶體管的密度，更為降低功耗和提升速度奠定了物理基礎。

根據官方公布的數據，這款1c LPDDR6產品在關鍵指標上實現了對上一代LPDDR5X的全面超越。

在速度方面，得益于帶寬的大幅擴展和單位時間內數據傳輸量的激增，新產品的數據處理速度較LPDDR5X提升了33%。其基礎工作速度已突破10.7 Gbps，而其單引腳傳輸速率更是高達14.4 Gbps。這一數值對應了JEDEC規范中LPDDR6標準的最高速檔，意味著SK海力士在標準頻率范圍內已近乎“跑滿”極限。

在能效方面，面對移動設備對續航的極致追求，SK海力士引入了兩項關鍵技術：子通道結構與DVFS（動態電壓頻率調整）技術。子通道結構允許芯片選擇性僅激活必要的數據路徑，避免了無效功耗；而DVFS技術則能根據芯片實時的運行環境，動態調整電壓與頻率。

“這是一種智能的功耗管理策略，”SK海力士技術人員解釋道，“在高規格游戲或端側大模型推理等高性能場景下，設備可自動提升DVFS等級以釋放最大帶寬性能；而在日常瀏覽、待機低功耗場景中，則自動降低頻率與電壓，從而節省每一分電量。”實測數據顯示，新一代產品的整體功耗較前代降低了超過20%。

隨著SK海力士細節的披露，三星的壓力隨之而來。相比之下，三星16Gb LPDDR6速率為12.8Gbps。三星本代產品采用12nm制程，略次于SK海力士的10nm級別，但三星強調其新一代LPDDR6相較前代LPDDR5X可實現21%的能效提升。此外，三星LPDDR6使用NRZ信號進行I/O傳輸，并采用12DQ子通道架構。

業內分析指出，LPDDR6的量產不僅僅是參數的提升，更是端側AI普及的關鍵基礎設施。隨著手機端側大模型、實時視頻處理、高幀率云游戲等應用的爆發，傳統內存帶寬已成為瓶頸。LPDDR6提供的超高帶寬和超低功耗，將使得在手機本地運行更復雜的AI模型成為可能，同時保證設備不發燙、不掉電。

SK海力士表示，隨著下半年正式供貨，這款內存將迅速被旗艦智能手機和高端平板電腦采納。