韓美半導體將推出第二代混合鍵合機原型

韓美半導體（Hanmi Semiconductor ）宣布，公司已鞏固其在HBM（高帶寬存儲器）市場熱壓鍵合機領域的領先地位，并將積極響應市場對混合鍵合技術的需求。該技術預計將于2029年實現量產。

韓美半導體表示，公司將于年內推出用于下一代HBM生產的“第二代混合鍵合機”原型機，并開始與客戶合作。此外，公司還計劃于明年上半年啟動其混合鍵合機工廠的運營。

此前，韓美半導體于2020年搶先競爭對手推出了“用于HBM生產的第一代混合鍵合機”，從而積累了核心技術和驗證經驗。第二代設備融合了第一代設備的研發經驗和基礎技術，在納米級精度、工藝穩定性、良率等方面進一步提升。韓美半導體還與多家韓國半導體設備公司在等離子體、清洗和沉積技術方面開展緊密合作，以推進混合鍵合技術的發展。

混合鍵合技術直接將芯片和晶圓的銅互連線鍵合在一起。它無需傳統的焊球，即可在降低封裝厚度的同時，提升散熱性能和數據傳輸速度，因此是20層及以上高堆疊HBM封裝的必要技術。

韓美半導體也在加速建設下一代設備生產所需的基礎設施。該公司自去年起在仁川廣域市西區朱安國家產團建設一座混合鍵合工廠，總投資1000億韓元（約合3400萬美元），建筑面積14570平方米，地上兩層，預計將于明年上半年竣工。

工廠內部將建成一個與半導體前端工藝所用潔凈室級別相當的頂級“100級”潔凈室。該潔凈室將采用先進的空氣處理技術，將空氣中的粉塵從上層向下輸送，并通過墻壁和地板立即吸走，從而營造出適合納米級超精密工藝的潔凈環境。（校對/趙月）