SK海力士先進封裝工廠將于四月開工建設(shè)

據(jù)最新報道，全球存儲巨頭 SK 海力士正式啟動超大規(guī)模投資，計劃斥資 19 萬億韓元（約合 900 億元人民幣）建設(shè)全新先進封裝工廠，項目已于 2026 年 4 月在韓國清州科技城工業(yè)園區(qū)破土動工。該工廠為 SK 海力士第七座半導體后端封裝測試廠（P&T7），占地約 23 萬平方米，預計 2027 年底全面竣工，專項服務(wù)高帶寬內(nèi)存（HBM）等 AI 核心存儲產(chǎn)品。

此次投資直指全球 AI 算力爆發(fā)下的存儲封裝瓶頸。新工廠將搭載 3D 堆疊、扇出型封裝等先進工藝，重點適配 HBM3E、HBM4 等高帶寬內(nèi)存的封裝測試需求，與清州 M15X 前端晶圓廠形成 “制造 + 封裝” 一體化協(xié)同，大幅提升 AI 存儲芯片的交付效率與良率。SK 海力士預計 2025-2030 年 HBM 需求復合年增長率達 33%，該工廠將成為其鞏固高端存儲領(lǐng)先地位的關(guān)鍵產(chǎn)能支撐。

項目建設(shè)節(jié)奏明確，分階段推進產(chǎn)能落地。工廠規(guī)劃建設(shè)三層晶圓級封裝（WLP）產(chǎn)線與七層晶圓測試（WT）產(chǎn)線，潔凈室總面積達 15 萬平方米；其中 WT 產(chǎn)線預計 2027 年 10 月率先完工，WLP 產(chǎn)線 2028 年 2 月投產(chǎn)，逐步釋放 HBM 封裝產(chǎn)能。這一布局將有效緩解當前全球 HBM 封裝產(chǎn)能緊張局面，直接響應(yīng)英偉達等 AI 芯片巨頭的供應(yīng)鏈需求。

SK 海力士同步推進全球化封裝布局，除清州 P&T7 外，美國印第安納州先進封裝廠已于 4 月啟動打樁作業(yè)，預計 2028 年下半年投產(chǎn)。兩大基地建成后，SK 海力士將形成韓國利川、清州及美國三大先進封裝中心，全面覆蓋全球 AI 數(shù)據(jù)中心與算力基礎(chǔ)設(shè)施的存儲封裝需求，進一步拉開與競爭對手的產(chǎn)能與技術(shù)差距。