氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”）在香港聯合交易所主板掛牌上市。

據了解，英諾賽科是一家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。

據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創聯以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認購了1億美元的發售股份，其中意法半導體認購半數。

根據計劃，英諾賽科擬將約60%的募資資金所得款凈額用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器以及招聘生產人員，計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓。另外，募資資金所得款凈額約20%將用于研發和擴大氮化鎵產品組合，進一步提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率；約10%用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡；約10%用于營運資金及其他一般企業用途。

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