JSM5N50D 500V N 溝道 MOSFET

一、杰盛微：專注核心技術，鑄就可靠品質

深圳市杰盛微半導體有限公司（JSMSEMI）是一家專注于模擬芯片、功率器件及傳感器研發與制造的高新技術企業。公司成立于 2017 年，核心研發團隊由博士、碩士組成，擁有豐富的行業經驗與技術創新能力，掌握多項國內領先的關鍵核心技術。

自成立以來，杰盛微始終堅持 “品質為先、創新為魂” 的理念，構建了完整的自主研發體系與嚴格的質量管控流程。公司已通過 ISO9001:2015 質量管理體系認證，所有產品均符合 SGS 報告標準與 RoHS 環保要求，從研發設計、生產制造到成品測試，全流程嚴控品質，為全球客戶提供高可靠性、高性價比的半導體產品與解決方案。

目前，杰盛微產品線覆蓋霍爾傳感器、驅動 IC、電源管理 IC、MOSFET、IGBT 等全品類功率半導體器件，廣泛應用于工業控制、汽車電子、光伏儲能、消費電子等領域，憑借穩定的性能與優質的服務，贏得了國內外客戶的高度認可。

二、JSM5N50D 核心特性：五大優勢，定義高壓 MOS 新標桿

JSM5N50D 是杰盛微針對中高壓開關場景量身打造的 N 溝道功率 MOSFET，采用行業主流的 TO-252 貼片封裝，兼具高耐壓、低損耗、快開關、強可靠、小體積五大核心優勢，完美適配高壓、高效、高功率密度的應用需求。

 超高耐壓，適配高壓場景

作為高壓功率器件，500V 超高漏源電壓（V_DSS） 是 JSM5N50D 的核心基礎參數，可穩定工作在 400V 級高壓系統中，有效抵御電壓浪涌與沖擊，避免器件擊穿損壞。同時，其柵源電壓（V_GSS）支持 ±30V，適配主流驅動電路設計，無需額外配置復雜的電壓保護電路，簡化系統設計的同時降低成本。

 低導通損耗，高效節能

導通電阻（R_DS (on)）是衡量 MOSFET 導通損耗的核心指標，直接決定系統能效高低。JSM5N50D 在 VGS=10V、ID=2.5A 條件下，最大導通電阻僅 1.4Ω，典型值更低，可顯著降低導通時的功率損耗，減少發熱，提升系統轉換效率。在高頻開關電源、逆變器等場景中，低導通損耗的優勢尤為突出，助力設備輕松滿足嚴苛的能效標準。

 超低柵極電荷，開關速度快

柵極電荷（Qg）是影響 MOSFET 開關速度與驅動功耗的關鍵參數。JSM5N50D 搭載杰盛微自研的低電荷工藝，總柵極電荷典型值僅 13nC，最大值 17nC，遠優于同級別高壓 MOSFET 產品。低柵極電荷意味著驅動電路只需消耗極小的能量即可實現器件的快速開通與關斷，開關延遲時間短（開通延遲典型 13ns、關斷延遲典型 25ns），可適配高頻工作場景，大幅降低開關損耗，提升高頻穩定性。

 全維度可靠設計，工業級穩定性

可靠性是功率器件長期穩定工作的核心保障，JSM5N50D 從設計、工藝到測試，全流程強化可靠性設計：

• 100% 雪崩測試：出廠前均經過雪崩能量測試，單脈沖雪崩能量達 270mJ，抗浪涌、抗沖擊能力強，可承受感性負載斷電時的瞬時高壓沖擊；

• 寬溫工作能力：最大結溫達 150℃，存儲溫度范圍 - 55℃~+150℃，可在 - 40℃~125℃的嚴苛環境下穩定工作，適配工業、汽車電子等高溫場景；

• 優異熱特性：結到殼熱阻僅 3.45℃/W，結到環境熱阻 110℃/W，配合 TO-252 封裝底部散熱焊盤設計，可快速將熱量傳導至 PCB 板，有效降低結溫，避免過熱損壞，保障高功率場景下的長期穩定性；

• 低漏電設計：零柵壓漏極電流（I_DSS）≤1μA（VDS=500V），待機功耗極低，助力設備實現低功耗運行。

TO-252 封裝，小體積適配高密度設計

JSM5N50D 采用TO-252 貼片封裝，尺寸小巧（約 6.1mm×6.6mm×2.3mm），占用 PCB 面積小，適配高密度電路布局設計。三個引腳清晰定義（1 腳柵極 G、2 腳漏極 D、3 腳源極 S），底部自帶大面積散熱焊盤，可直接焊接在 PCB 板上，兼顧大電流輸出與高效散熱功能。同時，貼片封裝支持自動化回流焊，適合批量生產，有效降低生產工藝成本，縮短交付周期。

三、核心參數詳解：硬核配置，性能一目了然

1. 絕對最大額定參數（Ta=25℃）

參數	符號	數值	單位
漏源電壓	V_DSS	500	V
漏極電流（25℃）	I_D	5.0	A
漏極電流（100℃）	I_D	2.2	A
柵源電壓	V_GSS	±30	V
單脈沖雪崩能量	EAS	270	mJ
功耗（Tj=25℃）	P_D	25	W
最大結溫	Tj	150	℃

2. 關鍵電氣參數（Ta=25℃）

參數	典型值	最大值	單位	測試條件
導通電阻 R_DS (on)	-	1.4	Ω	VGS=10V、ID=2.5A
總柵極電荷 Qg	13	17	nC	VDS=400V、VGS=10V、ID=5A
輸入電容 C_iss	620	-	pF	VDS=25V、VGS=0、f=1.0MHz
反向恢復時間 Trr	215	-	ns	I_S=5A、VGS=0V

3. 熱特性參數

參數	典型值	單位
結到殼熱阻 RθJC	3.45	℃/W
結到環境熱阻 RθJA	110	℃/W

四、多元應用場景：一 “管” 多能，適配全場景需求

憑借500V 高耐壓、低損耗、快開關、強可靠、小體積的綜合優勢，JSM5N50D 可廣泛應用于各類中高壓功率電子場景，覆蓋工業控制、新能源、消費電子、智能家電等多個領域，是高壓開關、電源轉換、電機驅動等電路的理想選擇。

開關電源（SMPS）

作為主功率開關管，適配反激、LLC、PFC 等拓撲結構，應用于工業電源、服務器電源、快充適配器等設備。500V 耐壓可穩定工作在 400V 直流母線系統，低導通電阻與低柵極電荷大幅提升電源轉換效率，助力設備滿足 DoE Level VI、CoC V5 等嚴苛能效標準。

 新能源與儲能

適配光伏微型逆變器、光伏優化器、儲能 BMS（電池管理系統）等場景。在光伏逆變器中，500V 耐壓可抵御電網電壓波動與浪涌沖擊，快速開關特性提升 DC-AC 轉換效率；在儲能系統中，用于電池充放電控制電路，低損耗設計減少能量損耗，寬溫特性適配戶外嚴苛環境。

工業控制與電機驅動

應用于中小功率伺服驅動、步進電機控制、變頻器、PLC 輸出模塊等場景。5A 連續漏極電流可滿足中小功率電機驅動需求，低寄生電感特性降低開關尖峰電壓，減少電磁干擾（EMI），提升系統穩定性；100% 雪崩測試確保電機感性負載啟停時的可靠性，延長設備使用壽命。

消費電子與智能家電

適配 LED 驅動電源、液晶電視 / 顯示器電源、UPS 不間斷電源、智能家電控制板等場景。TO-252 小體積封裝節省 PCB 空間，適配消費電子小型化、輕薄化設計趨勢；低待機功耗助力家電滿足歐盟 ERP Lot 26 等節能新規；優異開關特性保障 LED 驅動無頻閃，提升使用體驗。

五、選型價值：為何選擇杰盛微 JSM5N50D？

在高壓 MOSFET 選型中，工程師需在耐壓、損耗、速度、可靠性、成本五大維度尋求平衡，而杰盛微 JSM5N50D 憑借精準的產品定位與優異的綜合性能，為客戶提供 “性能與成本兼備” 的最優解：

1. 性能對標國際品牌：核心參數（500V/5A、R_DS (on)≤1.4Ω、Qg=13nC）達到國際同級別產品水平，可直接替代進口品牌，打破國外技術壟斷，助力客戶實現國產化替代，降低采購成本；

2. 高可靠性保障長期穩定：100% 雪崩測試、寬溫工作、優異熱特性等設計，確保產品在嚴苛環境下長期穩定工作，降低設備故障率，減少售后維護成本；

3. 小體積適配高密度設計：TO-252 封裝兼顧小型化與散熱需求，適配消費電子、工業設備等高密度 PCB 設計場景，節省空間的同時降低 BOM 成本；

4. 本土研發 + 快速服務：杰盛微作為本土企業，具備快速響應的技術支持與售后服務體系，可根據客戶需求提供定制化解決方案，縮短研發周期，加速產品上市。

六、總結

在功率電子技術快速迭代的今天，高效、高壓、高可靠的功率器件已成為行業剛需。杰盛微半導體 JSM5N50D 500V N 溝道 MOSFET，以500V 超高耐壓、1.4Ω 低導通電阻、13nC 超低柵極電荷、工業級可靠性、TO-252 小體積封裝的硬核配置，完美契合中高壓開關應用的核心需求，為工業控制、新能源、消費電子等領域提供高性價比、高可靠的國產化選擇。

未來，杰盛微將繼續深耕功率半導體領域，堅持技術創新，持續推出更多高性能、高可靠性的半導體產品，以卓越的技術與優質的服務，賦能全球電子產業發展，與客戶共創 “芯” 未來！