傳長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功打入蘋果iPhone閃存芯片供應(yīng)鏈

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近日業(yè)內(nèi)傳出消息稱，中國(guó)NAND Flash（閃存）芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）今年正式打入蘋果iPhone的Flash供應(yīng)鏈。根據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已出貨時(shí)程看，應(yīng)是打入了蘋果剛發(fā)布的iPhone SE 3供應(yīng)鏈。

蘋果iPhone的Flash供應(yīng)商此前主要為SK 海力士和鎧俠（Kioxia），因此長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功打入iPhone供應(yīng)鏈，也反應(yīng)了其在NAND Flash技術(shù)上已經(jīng)趕上了國(guó)際大廠。同時(shí)也意味著在政府的支持下，中國(guó)的NAND Flash產(chǎn)業(yè)發(fā)展卓有成效。

據(jù)產(chǎn)業(yè)分析師透露，由于長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)皆是自行開發(fā)，其閃存均基于自研的Xtacking架構(gòu)，因此沒有專利問題。

資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資約1600億元。

2016年12月，以長(zhǎng)江存儲(chǔ)為主體的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式開工建設(shè)，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國(guó)際合作雙輪驅(qū)動(dòng)的方式，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于2017年研制成功了中國(guó)第一顆3D NAND閃存芯片。而隨著2018年長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國(guó)產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。不過，由于該技術(shù)與國(guó)際主流技術(shù)相差較大，所以并未在市場(chǎng)獲得成功。

2019年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求，與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲(chǔ)密度。

隨后長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存還成功打入了華為Mate40系列的供應(yīng)鏈。

為了進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND Flash的研發(fā)。

2020年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

據(jù)介紹，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

2020年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)又推出自有存儲(chǔ)品牌“致鈦”，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品，并在市場(chǎng)上獲得了不錯(cuò)的表現(xiàn)。

去年10月，國(guó)外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Tech Insights對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層TLC 3D閃存進(jìn)行了芯片級(jí)的拆解，發(fā)現(xiàn)其存儲(chǔ)密度達(dá)到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm2，遠(yuǎn)高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

最新的消息顯示，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已具備192層3D閃存生產(chǎn)能力。并且在月產(chǎn)能方面，可能已經(jīng)達(dá)到了僅10萬片的規(guī)模。

雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)在存儲(chǔ)技術(shù)上正在快速追趕國(guó)際一線廠商，并且差距也正在縮小，但是不可否認(rèn)的是，目前差距依然存在，特別是產(chǎn)能上的差距。要知道目前僅三星一家的NAND Flash的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了約50萬片/月的規(guī)模。

 

隨著此次長(zhǎng)江存儲(chǔ)的NAND Flash成功打入iPhone供應(yīng)鏈，勢(shì)必將進(jìn)一步助力長(zhǎng)江存儲(chǔ)的對(duì)于三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠商的追趕。