俄羅斯制定半導(dǎo)體發(fā)展計劃2030年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)28nm

4月18日消息，由于面臨制裁而無法從常規(guī)供應(yīng)商處獲得芯片，俄羅斯正在擬定計劃，以重振其境況不佳的本地半導(dǎo)體制造業(yè)，新芯片計劃涉及未來8年相當(dāng)大規(guī)模的投資。

據(jù)tomshardware報道，俄羅斯政府已經(jīng)制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本，到2030年需要大約3.19萬億盧布（384.3億美元）的投資。據(jù)Cnews報道，這些資金將用于開發(fā)本土半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)、本土芯片開發(fā)、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施、本土人才的培養(yǎng)以及國產(chǎn)芯片和解決方案的營銷。

在半導(dǎo)體制造方面，俄羅斯計劃投入4200億盧布（50億美元）用于新制造技術(shù)的研發(fā)。俄羅斯的短期目標(biāo)之一是在今年年底前提高使用90nm制造技術(shù)的本地芯片產(chǎn)量，長期目標(biāo)是在2030年之前建立使用28nm節(jié)點(diǎn)的制造系統(tǒng)，這是臺積電在2011年就實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。

該計劃將于2022年4月22日最終確定，并提交給總理正式批準(zhǔn)。