消息稱DDR5滲透率將在2023年大幅上升

6月8日?qǐng)?bào)道，內(nèi)存模塊制造商稱，三星電子、SK海力士和美光科技均已擴(kuò)大其DDR5芯片產(chǎn)量，旨在加速行業(yè)從DDR4向DDR5 DRAM的過(guò)渡。

消息人士稱供應(yīng)商已開始提高其DDR5芯片產(chǎn)量，但DDR5內(nèi)存在游戲和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中的增長(zhǎng)速度低于預(yù)期，因?yàn)閷?duì)比于DDR4，DDR5內(nèi)存價(jià)格較高。盡管供應(yīng)商擴(kuò)大了產(chǎn)量，但由于價(jià)格高昂，市場(chǎng)對(duì)DDR5內(nèi)存的需求一直停滯不前。隨著近期DDR4價(jià)格下跌，下游供應(yīng)商向DDR5過(guò)渡的速度較慢。

消息人士表示，三星電子、SK海力士和美光科技均在2021年下半年開始量產(chǎn)DDR5芯片，而DDR5芯片的價(jià)格可能會(huì)下降，并在2022年底左右接近DDR4芯片，從而使DDR5的滲透率在2023年大幅上升。