三星計劃在2025年開始大規模生產基于GAA的2nm芯片

6 月 20 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子正計劃通過在未來三年內打造 3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝來追趕世界第一大代工公司 —— 臺積電。

據悉，GAA 是下一代工藝技術，改進了半導體晶體管的結構，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前 FinFET 工藝的三面，GAA 結構可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。

根據 TrendForce 的數據，在 2021 年第四季度，臺積電占全球代工市場的 52.1%，遠遠超過三星電子的 18.3%。

三星電子正押注于將 GAA 技術應用于 3 納米工藝，以追趕臺積電。據報道，這家韓國半導體巨頭在 6 月初將 3 納米 GAA 工藝的晶圓用于試生產，成為全球第一家使用 GAA 技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺積電的差距。3 納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時與 5 納米工藝相比，芯片面積減少了 35%。

繼今年上半年將 GAA 技術應用于其 3 納米工藝后，三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規模生產基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰略是在今年下半年使用穩定的 FinFET 工藝進入 3 納米半導體市場，而三星電子則押注于 GAA 技術。

專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩定的產量，它就能成為代工市場的游戲規則改變者。臺積電預計將從 2 納米芯片開始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發布第一個產品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關鍵時期。

最近，三星宣布，在未來五年內，將在半導體等關鍵行業投資共計 450 萬億韓元（約 2.34 萬億元人民幣）。然而，三星在 3 納米工藝方面遇到了障礙。與三星一樣，臺積電在提高 3 納米工藝的產量方面也有困難。

臺積電原本計劃從 7 月開始用 3 納米技術為英特爾和蘋果大規模生產半導體，但在確保理想的產量方面遇到了困難。DigiTimes 報道稱，臺積電在確保 3 納米工藝的理想產量方面遇到了困難，因此多次修改其技術路線圖。

三星電子也面臨著類似的情況，3 納米工藝的試生產用晶圓已經投入使用，但由于產量低的問題，該公司一直在推遲宣布正式的大規模生產。現代汽車證券的研究主管 Roh Keun-chang 說：“除非三星電子為其 7-nm 或更先進的工藝確保足夠的客戶，否則可能會加劇投資者對三星電子未來業績的焦慮。”