搶攻第三代半導體，臺積電第二代硅基板GaN技術平臺預計今年完成

10月3日，據臺媒《經濟日報》報道，臺積電擁有先進制程優勢同時，也在積極布局第三代半導體，與聯電、世界先進、力積電等同行共同爭搶第三代半導體龐大商機。

報道指出，晶圓代工四強在營運策略上，不僅要降低行業景氣循環帶來的沖擊，更要在5G射頻、人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、汽車電子增長確立的趨勢下，先蹲好馬步練功，瞄準下一波的產業成長動能。

臺積電董事長劉德音提及，第三代半導體產值偏小，應用端以汽車領域為多，屬于特殊技術。盡管現階段仍無法跟硅基（silicon base）半導體相比，不過臺積電第三代半導體的產量應該還是最大。

業內人士指出，臺積電與IDM廠及IC設計廠商合作，第一代硅基板氮化鎵（GaN on Si）技術平臺，已于去年完成并進一步強化，支持多元應用，開發中的第二代硅基板GaN技術平臺預計今年內完成。

聯電以轉投資聯穎光電投入第三代半導體。日前聯穎研發副總邱顯欽分析，聯電集團和臺積電在第三代半導體發展策略并不相同，臺積電聚焦的是氮化鎵（GaN）、主攻功率半導體，聯電則是功率與微波并進。

此外，世界先進則是與設備材料、硅基板廠攜手合作，開發8英寸新基板材料。世界先進認為，雖然化合物半導體占半導體整體市值僅1%，但氮化鎵、碳化硅等新材料衍生的商機可期。