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              Longsys DDR5內存橫空出世,多項實測數據首次對公眾開放

              2021-03-16 來源:華強電子網
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              2021年是DDR內存技術升級換代的快速發展階段,自2020年以來,5G、AI、汽車、電競市場需求的居高不下,加速推動了DDR產品迭代以及技術升級。2020年7月中旬JEDEC固態存儲協會正式發布DDR5 SDRAM內存標準規范后,DDR5新技術應用受到業內的關注以及專業領域的探索。

              江波龍電子(以下簡稱“Longsys”)緊跟存儲技術發展前沿,為了滿足行業的專業人士以及廣大用戶對未來產品技術發展的期望,進而為存儲行業應用的未來提供更多可能性,在今天正式發布Longsys DDR5內存模組產品(ES1)。此外,Longsys旗下技術型存儲品牌FORESEE以及高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應用領域提供強有力的支持。

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              DDR5內存速率高達6400Mbps

              是DDR4的兩倍

              此次DDR5的產品發布,涉及兩款全新架構產品原型,分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4,DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。

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              全方位數據測試

              性能穩定突出

              Longsys DRAM研發經過多年的潛心積累,在DDR5新一代產品上率先開展測試技術投入,此次測試特別選取了部分測試數據首次面向公眾開放。其中,展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發板,搭配Longsys DDR5 32GB 4800內存模組,并配置Windows 10 Pro x64操作系統,分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數據。

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              (通過BIOS了解到DDR5新架構采用了兩個完全獨立的32位通道)

              ① 魯大師測試數據

              首先呈現的是硬件配置,內存識別為Longsys ID。

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              通過魯大師測試,Longsys DDR5 32GB 6400的跑分高達19萬分有余。

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              ② AIDA64測試數據

              通過測試,能夠獲取到Longsys DDR5 32GB 6400讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。

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              為了更加直觀地體現性能的提升力度,還加入了DDR4的測試對比。根據數據顯示,Longsys DDR5在性能上實現了跨越式提升。

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              核心指標揭秘

              Longsys DDR5新技術強大之處

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              糾錯能力增加

              在優化DDR5 DRAM內核運算能力上,Longsys DDR5增加內置糾錯碼(ECC),全面實現數據糾錯能力,進一步提高數據完整性,同時也緩解了系統錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。

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              增加16n的預取模式

              BL16使得Longsys DDR5內存的并發性在DDR4的基礎上提升了一倍,信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構采用了兩個完全獨立的32位通道,提高了并發性,并使系統中可用的內存通道增加了一倍。

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              端到端的接收模式的強化

              在DDR5新技術應用中除了DQ/DQS/DM繼續采用ODT功能,增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此,Longsys DDR5內存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應,讓信號傳輸更加純凈。

              DDR5 Bank Group 翻倍

              DDR5內存使Bank Group的數量增加了一倍,并且每個Group的Bank數量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲,加倍提高了系統的整體效率,允許更多頁面同時被打開。

              SAME-BANK Refresh刷新模式

              Longsys DDR5根據標準還實現了一個新特性,稱為SAME-BANK Refresh(同步刷新)。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank,使所有其他Banks保持打開狀態以繼續正常操作。

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              FORESEE DDR5 內存模組產品(ES1)

              未來的應用場景不斷革新和進步,對存儲技術提出了更嚴苛的要求,亦大大加速了DDR5發展進程,各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。據悉,Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅動DRAM內存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業應用領域,比如服務器、云計算、數據中心、高性能計算機等應用領域均有望得到重點部署,此次迭代也為行業客戶提供了更出色的內存解決方案。

              Lexar雷克沙 DDR5 內存模組產品(ES1)

              隨著全球大量資本進入電競市場,促進了電競行業日漸普及與成熟,這也讓電競玩家對內存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世,不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗,亦能帶動電競行業的可持續性發展。非但如此,對于白領用戶,特別是設計師、剪輯師等對設備性能有剛需的職業,Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率,將更多時間留給創造性工作。

              結語

              盡管Longsys內存產品線起步較晚,但能夠在技術創新的征途上愈戰愈勇,源于Longsys專注存儲行業20余年的技術底蘊,以及打造高品質存儲產品的決心。截止2021年3月12日,Longsys申請專利總數達到838個,其中境外專利申請178項;已授權且維持有效專利411項、其中境外授權且維持有效專利83項;軟件著作權65項。在緊握自主創新能力的同時,注重對知識產權的保護。

              今年,Longsys內存產品線仍將精益求精,持續提供更多的DDR5產品規格和技術服務,助力行業客戶、終端用戶投入DDR5到未來的應用場景中,為存儲生態領域增添色彩。



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