第四代半導體再突破，我國團隊在 8 英寸硅片上制備出高質量氧化鎵外延片

3 月 14 日消息，IT之家從西安郵電大學官網獲悉，日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在 8 英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片，這一成果標志著該校在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。

團隊負責人陳海峰教授介紹，氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。硅上氧化鎵異質外延有利于硅電路與氧化鎵電路的直接集成，同時擁有成本低和散熱好等優勢。

氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與前代半導體材料相比，氧化鎵材料具備更高的擊穿電場強度與更低的導通電阻，從而能量損耗更低，功率轉換效率更高。另外，氧化鎵具有良好的化學和熱穩定性，成本低，制備方法簡便、便于批量生產，在產業化方面優勢明顯。

近年來，我國在氧化鎵的制備上連續取得突破性進展，從去年的 2 英寸到 6 英寸，再到最新的 8 英寸，氧化鎵制備技術越來越成熟。