英特爾全新堆疊式CFET晶體管架構(gòu)曝光，有望將制程推進(jìn)至0.2nm

5月24日消息，近日在比利時安特衛(wèi)普舉行的 ITF World 2023大會上，英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理 Ann Kelleher 介紹了幾個關(guān)鍵領(lǐng)域最新技術(shù)發(fā)展，其中就包括了英特爾將采用堆疊式CFET晶體管架構(gòu)，這也是英特爾首次公開介紹新的晶體管設(shè)計，但并未提及具體的量產(chǎn)時間表。

在2021年創(chuàng)新技術(shù)大會上，英特爾公布了 Intel 20A 制程將采用基于 Gate All Around（GAA）技術(shù) RibbonFET 晶體管架構(gòu)，以取代 2011 年沿用至今的 FinFET 晶體管架構(gòu)。新技術(shù)提升晶體管開關(guān)速度，占用空間更少，可以達(dá)成與FinFET結(jié)構(gòu)相同驅(qū)動電流水準(zhǔn)。Ann Kelleher 表示，RibbonFET 將在 2024 年量產(chǎn)。

英特爾還展示下一代 GAA 堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)，將允許堆疊8個納米片，是 RibbonFET 的4個納米片的兩倍，將進(jìn)一步提升晶體管密度。CFET 電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，以達(dá)成更高的密度。英特爾正在研究兩種 CFET晶體管，也就是單片式和順序式，但未確定最后采用哪種 CFET晶體管，或還有其他類設(shè)計出現(xiàn)。

英特爾表示，憑借CFET晶體管技術(shù)，2032年將有望進(jìn)化到5埃米（0.5nm），2036年將有望實(shí)現(xiàn)2埃米（0.2nm），CFET晶體管架構(gòu)類型還會發(fā)生變化，也是不可避免的。不過，英特爾只是概述電晶體技術(shù)大概發(fā)展藍(lán)圖，并沒有分享太多細(xì)節(jié)，未來應(yīng)該還會陸續(xù)公開更多信息公布。