荷蘭芯片禁令中最后的一個(gè)“漏洞”：光刻機(jī)，能支持7nm工藝

緊隨美國(guó)、日本，近日荷蘭終于也發(fā)布了芯片禁令，并表示將于2023年9月1日正式生效。

如之前預(yù)計(jì)的一樣，荷蘭的芯片禁令，主要針對(duì)的對(duì)象為先進(jìn)確實(shí)為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤(rùn)式光刻系統(tǒng)等。

從具體的條款來(lái)看，任何與EUV有關(guān)的設(shè)備全部卡死。甚至是在禁令發(fā)布之前已經(jīng)銷售出去光刻機(jī)，目前已經(jīng)在正常運(yùn)行的，但只要是禁令中不允許的，后續(xù)的維修、保養(yǎng)等，都需要許可證。

荷蘭官方表示，這個(gè)禁令可以解決當(dāng)前政策下“最重要的漏洞”，同時(shí)也將盡可能不擾亂全球芯片生產(chǎn)。

不過(guò)，在這個(gè)禁令之中，其實(shí)還是有一個(gè)“漏洞”的，那就是荷蘭規(guī)定可以銷售的光刻機(jī)中，還是有一臺(tái)，能夠支持到7nm工藝，這個(gè)堪稱最后的“漏洞”了，因?yàn)槠渌信c7nm相關(guān)的一切技術(shù)、設(shè)備都卡住了。

按照荷蘭的規(guī)則，光刻機(jī)中，具有以下任一項(xiàng)或兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的，就不能夠出口，需要許可證書，這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是

1、光源的波長(zhǎng)短于193nm，小于193nm波長(zhǎng)的光刻機(jī)，目前只有EUV光刻機(jī)，所以EUV是禁止的。

2、光源的波長(zhǎng)等于或大于193nm時(shí)，如果能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的可分辨特征尺寸（MRF）的圖案，同時(shí)小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO）值。

這里大家注意的是條件是并列的，采用193nm波長(zhǎng)光源，分辨率要小于45nm，同時(shí)DCO值小于1.5nm。

按照ASML的光刻機(jī)參數(shù)，目前在售的三種浸潤(rùn)式光刻機(jī)中TWINSCAN NXT:2050Di、TWINSCAN NXT:2000i是滿足以上三個(gè)條件的，不能出口。

但NXT1980Di的分辨率為38納米左右，是小于45nm的，但是其DCO值是1.6nm，大于1.5nm了，所以NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。

所以NXT1980Di是目前國(guó)內(nèi)能夠買到最先進(jìn)的光刻機(jī)，其它的比NXT1980Di先進(jìn)的都不能購(gòu)買。

那么NXT1980Di能生產(chǎn)多少nm的芯片？NXT:1980Di采用的是193nm的光源，但經(jīng)過(guò)一層水后，等效為134nm波長(zhǎng)的光源，其分辨率（MRF）在38nm左右，每小時(shí)的生產(chǎn)晶圓數(shù)量為275wph，數(shù)值孔徑為1.35NA。

在實(shí)際應(yīng)用中，可以用于生產(chǎn)7nm芯片，按照媒體的報(bào)道稱，臺(tái)積電的第一代7nm工藝就是基于 NXT:1980Di 實(shí)現(xiàn)的，后來(lái)才升級(jí)為EUV 7nm工藝。

所以這是唯一的漏洞了，因?yàn)檫@臺(tái)光刻機(jī)最高可支持7nm，但大多數(shù)情況下也生產(chǎn)28nm、14nm芯片，所以沒(méi)被全面卡死。