拆解華為Mate60后，外媒：中國(guó)芯片技術(shù)，只落后臺(tái)積電5年了

眾所周知，最近華為Mate60手機(jī)，真的是一枚深水炸彈，炸出了很大的一片浪花。

特別是這款手機(jī)使用的芯片，更是激起了全民大討論，雖然華為沒(méi)有公布工藝，代工廠，內(nèi)核等，但國(guó)內(nèi)外媒體已經(jīng)是將其翻了個(gè)底朝天。

特別是Techinsight，更是對(duì)芯片進(jìn)行了拆解，分析，得出了一個(gè)可能等同于7nm工藝的結(jié)論。

而基于這個(gè)結(jié)論，外媒體們也就得出一個(gè)事實(shí)，那就是國(guó)產(chǎn)芯片制造技術(shù)，又有了突破，現(xiàn)在落后臺(tái)積電大約是5年左右。

為何這么說(shuō)？我們知道臺(tái)積電是在2018年量產(chǎn)了7nm工藝的，當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝首顆量產(chǎn)的芯片，是華為麒麟980。

在華為麒麟980之后，才有了蘋(píng)果的A12芯片，才有了高通驍龍855芯片，這在顆芯片都是7nm的芯片。

而我們現(xiàn)在才搞定7nm，差不多就是落后5年嘛，這個(gè)結(jié)論就是這么來(lái)的。

事實(shí)上，在這顆芯片之前，很多人認(rèn)為我們可能落后臺(tái)積電有8年之久了，因?yàn)楹芏嗳艘恢币詠?lái)我們現(xiàn)在的水平還是14nm，而臺(tái)積電是2015年就搞定了14nm工藝的，這樣算起來(lái)不就是8年了么（從2015年到2023年就是8年）？

其實(shí)說(shuō)真的，在14nm這個(gè)環(huán)節(jié)上，我們落后臺(tái)積電其實(shí)并不多的，臺(tái)積電在2015年搞定16/14nm，而我們?cè)?019年搞定14nm，當(dāng)時(shí)落后的大約只有4年。

而在2019年之后，中國(guó)芯更是加速前進(jìn)，有了梁孟松大神的加盟之后，原計(jì)劃在2020年就試產(chǎn)7nm工藝，然后再進(jìn)行N+1、N+2等工藝的試產(chǎn)并量產(chǎn)的，當(dāng)時(shí)非常有希望迅速縮小差距至1至2年的。

后來(lái)的故事，大家也就清楚了，因?yàn)橹袊?guó)芯發(fā)展太快，威脅到美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的地位了，于是被美國(guó)打壓，先進(jìn)的設(shè)備不準(zhǔn)賣，后來(lái)更是連14nm及以下的設(shè)備都被禁售了，所以很多人以為中芯可能就停留在14nm，沒(méi)前進(jìn)了，所以也就有了中國(guó)芯落后臺(tái)積電8年的說(shuō)法。

但華為Mate60的推出，就打破了這種說(shuō)法，很明顯沒(méi)有落后8年之久，實(shí)際來(lái)看，可能在5年左右（2018年到2023年之間是5年），你覺(jué)得呢？

不過(guò)也說(shuō)實(shí)話，接下來(lái)如果要從7nm要進(jìn)入5nm，就是一個(gè)很大的坎了，因?yàn)檫M(jìn)入5nm必須用到EUV光刻機(jī)，浸潤(rùn)式光刻機(jī)最高只能支持7nm，這個(gè)坎沒(méi)這么容易跨過(guò)去。