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              美芯真的慌了,被中國(guó)芯片舍棄的芯片設(shè)計(jì),高通重新?lián)炱饋?lái)

              2023-09-25 來(lái)源: 柏銘007
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              關(guān)鍵詞: 中國(guó)芯 ARM 臺(tái)積電

              在蘋果的iPhone15發(fā)布之后,另一大重頭戲?qū)⑹歉咄磳l(fā)布的高端芯片驍龍8G3,業(yè)界人士指出高通為了縮短與蘋果的差距,驍龍8G3采用了更激進(jìn)的設(shè)計(jì),進(jìn)一步減少了小核心的數(shù)量,如此可能導(dǎo)致的發(fā)熱問(wèn)題再度重演。


              據(jù)了解驍龍8G3將采用四叢集設(shè)計(jì),這是中國(guó)芯片企業(yè)開創(chuàng)的芯片架構(gòu),當(dāng)時(shí)聯(lián)發(fā)科推出的helio X20采用了雙核A72+四核高頻A53+四核低頻A53的設(shè)計(jì),以A72提供高性能,以八核A53沖高整體跑分,這種開創(chuàng)式設(shè)計(jì)在當(dāng)時(shí)曾引發(fā)了熱議。


              更多核心和更多叢集的設(shè)計(jì)由聯(lián)發(fā)科引領(lǐng),其實(shí)也是當(dāng)時(shí)聯(lián)發(fā)科的無(wú)奈,由于聯(lián)發(fā)科在技術(shù)方面與高通存在差距,以致于聯(lián)發(fā)科在手機(jī)芯片市場(chǎng)一直都只能跟在高通的屁股后面,為此迫使聯(lián)發(fā)科不得不采用更激進(jìn)的設(shè)計(jì)。


              然而聯(lián)發(fā)科的多核設(shè)計(jì)和多叢集設(shè)計(jì)最終并未能幫助它在手機(jī)芯片市場(chǎng)趕超高通,而helio X20更可以說(shuō)是聯(lián)發(fā)科的滑鐵盧,X20未能獲得太多手機(jī)企業(yè)的認(rèn)可,到了X30更是只有魅族采用,在高端市場(chǎng)大受打擊之后,聯(lián)發(fā)科暫時(shí)放棄了高端芯片市場(chǎng),而專注于中低端芯片市場(chǎng),直到2年后的2019年中國(guó)手機(jī)因?yàn)槊绹?guó)的原因再度支持聯(lián)發(fā)科,2020年聯(lián)發(fā)科首次在年度芯片出貨量上超越高通,聯(lián)發(fā)科才重回高端芯片市場(chǎng)。


              從helio X20也可以看出,雖然聯(lián)發(fā)科激進(jìn)地采用了三叢集設(shè)計(jì),但是聯(lián)發(fā)科為了降低功耗只是采用了兩個(gè)高性能核心A72,另外八個(gè)核心都是低功耗的A53,可以看出聯(lián)發(fā)科為了控制功耗,在核心選擇方面還是較為保守的。



              多年之后,高通又撿回了聯(lián)發(fā)科舍棄的多叢集設(shè)計(jì),其實(shí)也得到了教訓(xùn),高通的首款多叢集設(shè)計(jì)芯片為驍龍888,驍龍888激進(jìn)地采用了ARM的首款超大核心X1,結(jié)果就是驍龍888成為火龍,導(dǎo)致當(dāng)年采用驍龍888的多款中國(guó)手機(jī)被用戶詬病發(fā)熱嚴(yán)重。


              其實(shí)這已不是高通第一次得到教訓(xùn)了,多年前ARM首次推出高性能核心A57的時(shí)候,高通也是嘗鮮者,結(jié)果采用A57的驍龍810成為史上最知名的火龍,也導(dǎo)致那一年高通的高端芯片驍龍大跌八成,而高通顯然未吸取教訓(xùn),不僅驍龍888再次成為火龍,連隨后同樣采用三叢集設(shè)計(jì)的驍龍8G1也有較大的發(fā)熱問(wèn)題,當(dāng)然這個(gè)也與三星的工藝不過(guò)關(guān)有關(guān),直到采用了臺(tái)積電的4納米工藝才接近發(fā)熱問(wèn)題。


              驍龍8G1為單核X2+三核A710+四核A510架構(gòu),這樣的設(shè)計(jì)都容易出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題;這次的驍龍8G3據(jù)悉可能采用了四叢集架構(gòu),即是單核X4+雙核A715+雙核A710+雙核A510架構(gòu),低功耗核心進(jìn)一步減少一個(gè),而性能核心則增加了一個(gè),如此驍龍8G3的發(fā)熱量必然會(huì)比驍龍8G1更大,而工藝方面則仍然是臺(tái)積電的4納米,能否控制發(fā)熱就是值得商榷的問(wèn)題。


              當(dāng)然高通激進(jìn)的設(shè)計(jì)讓驍龍8G3在性能方面確實(shí)表現(xiàn)較為出色,geekbench的數(shù)據(jù)指單核提高了15%左右,但多核高了27%,這就證明了它采用更多的性能核心讓它的多核性能提升幅度更大。



              高通如此激進(jìn)在于它當(dāng)下面臨的窘境,高端芯片市場(chǎng)已成為它最后的陣地,不過(guò)近期國(guó)產(chǎn)5G手機(jī)的推出讓它在高端芯片市場(chǎng)失去6000萬(wàn)芯片訂單,聯(lián)發(fā)科又在不斷進(jìn)攻,促使它不得不以更激進(jìn)的態(tài)度設(shè)計(jì)芯片,保住最后的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì),也可以說(shuō)它是慌了。



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