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              規(guī)避美國(guó)128層以上NAND禁令 長(zhǎng)江存儲(chǔ)秘密武器另闢蹊徑

              2023-10-24 來源:科技網(wǎng)
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              關(guān)鍵詞: 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 三星電子 SK海力士

              長(zhǎng)江存儲(chǔ)繞彎128層NAND禁令限制,傳120層NAND新品已送交客戶認(rèn)證。韓青秀攝


              美國(guó)近期晶片禁令再升級(jí),中美科技戰(zhàn)對(duì)峙煙硝瀰漫,記憶體禁令限制維持不變,但對(duì)長(zhǎng)江儲(chǔ)存等中系代表廠商的金箍咒預(yù)料短期將難再放寬。


              業(yè)界透露,為了避開美國(guó)對(duì)128層以上NAND Flash設(shè)備出口的限制,長(zhǎng)江存儲(chǔ)另闢蹊徑尋覓出路,以“五臺(tái)山”為產(chǎn)品命名的秘密武器,刻意將層數(shù)堆疊降至120層,但升級(jí)原有Xtacking結(jié)構(gòu),I/O速度堪比其他NAND原廠200層以上性能。


              近期新產(chǎn)品已陸續(xù)送樣驗(yàn)證,預(yù)計(jì)2024年初將展開量產(chǎn),未來120層NAND將成為重點(diǎn)推動(dòng)的營(yíng)運(yùn)主力。


              長(zhǎng)江存儲(chǔ)2022年后起直追,推出旗艦232層3D NAND晶片,越級(jí)挑戰(zhàn)記憶體大廠如三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、鎧俠(Kioxia)等。


              但美國(guó)大刀開鍘,美系設(shè)備供應(yīng)商受到出口管制規(guī)范,迅速停止供貨與相關(guān)服務(wù),并在年底將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入制裁實(shí)體清單,外界曾認(rèn)為,在缺乏設(shè)備商技術(shù)支援下,長(zhǎng)江存儲(chǔ)2024年起恐將淡出3D NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。


              供應(yīng)鏈透露,為了規(guī)避美國(guó)禁令的紅線,長(zhǎng)江存儲(chǔ)開發(fā)Xtacking 4.0新架構(gòu),將可望擺脫128層的限制,雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)不愿再對(duì)外強(qiáng)調(diào)堆疊層數(shù)。


              但據(jù)悉,“五臺(tái)山”新產(chǎn)品已從第3季底~第4季陸續(xù)送樣認(rèn)證,配合供應(yīng)鏈也積極進(jìn)行調(diào)整設(shè)計(jì),雖然堆疊層數(shù)僅120層,但量產(chǎn)成熟后,不排除可繼續(xù)延伸堆疊至240層或以上,不僅繞彎突圍封鎖,且可持續(xù)提升成本競(jìng)爭(zhēng)力。


              供應(yīng)鏈預(yù)期,Xtacking 4.0架構(gòu)的120層NAND可望在年底推出,并有望從2024年第1季~第2季量產(chǎn),屆時(shí)將可供應(yīng)128、256及512 Gb等晶片產(chǎn)品。雖然短期內(nèi)不會(huì)應(yīng)用在企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存或高密度產(chǎn)品,但在消費(fèi)性電子應(yīng)用或手機(jī)品牌供應(yīng)鏈等領(lǐng)域,長(zhǎng)江存儲(chǔ)必然將不會(huì)缺席。


              長(zhǎng)江存儲(chǔ)在禁令前,大量採(cǎi)購(gòu)的微影機(jī)等設(shè)備均屬于頂級(jí)配置,且目前128層設(shè)備機(jī)臺(tái)均逐年攤提折舊成本,產(chǎn)品價(jià)格將具有競(jìng)爭(zhēng)力,基于Xtacking 3.0架構(gòu)的128層NAND已穩(wěn)定量產(chǎn)出貨,未來武漢二廠將陸續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)量。預(yù)計(jì)2024年起將大量轉(zhuǎn)換至120層NAND產(chǎn)品,成為美國(guó)禁令限制下的主力制程。


              長(zhǎng)江儲(chǔ)存的Xtacking技術(shù)原理,是將晶圓獨(dú)立加工I/O及記憶單位操作的週邊電路,儲(chǔ)存單元?jiǎng)t在另一片晶圓獨(dú)立處理,并將兩片晶圓進(jìn)行黏合,不同于傳統(tǒng)NAND原廠堆疊。


              Xtacking 3.0架構(gòu)進(jìn)一步提高CMOS元件的性能和I/O速度,232層堆疊NAND可擁有2400MT/s 的傳輸速度。據(jù)傳,最新4.0架構(gòu)性能將與其他NAND原廠200層以上的產(chǎn)品表現(xiàn)相當(dāng)。


              業(yè)界指出,早在半年前,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的初期樣品曾一度流出,韓系記憶體大廠曾詳細(xì)進(jìn)行分析,當(dāng)時(shí)對(duì)于性能表現(xiàn)與技術(shù)架構(gòu)大為震驚。不過長(zhǎng)江存儲(chǔ)直到近期才正式向客戶提出送樣驗(yàn)證,預(yù)期量產(chǎn)品質(zhì)和性能驗(yàn)證結(jié)果,將在2024年初較為明朗。


              但無論初期量產(chǎn)品質(zhì)表現(xiàn)如何,在中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化推動(dòng)浪潮下,中系品牌及模組業(yè)者必然將大力支持導(dǎo)入,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在中國(guó)內(nèi)需市場(chǎng)取得無可取代的主導(dǎo)地位。



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