三星成立下一代芯片工藝開發部門 瞄準AI芯片領域領先地位
據報道，三星電子成立了一個負責開發下一代芯片處理技術的業務部門，該公司的目標是在人工智能（AI）芯片領域占據領先地位。
業內消息人士本周三表示，三星最近成立了該部門負責開發新技術，以保持在芯片加工領域領先于臺積電等競爭對手。
消息人士稱，新部門將由Hyun Sang-jin領導，他在三星半導體工藝節點的技術進步和先進的3納米芯片量產方面發揮了關鍵作用。
據悉，該部門將隸屬于三星設備解決方案（DS）部門中的芯片研究中心，該部門將負責監督其半導體業務。
其中一名知情人士表示：“三星希望開發新技術，使其在未來10年或20年領先于競爭對手。”
三星希望開發出能夠改變游戲規則的技術——類似于去年推出的全環繞柵極（Gate-All-Around,GAA）技術。三星表示，與之前的處理節點相比，3納米GAA技術的性能提升了30%，能耗降低了50%，芯片面積減少了45%。GAA技術與臺積電和其他使用FinFET工藝技術的代工企業存在競爭關系。
雖然三星是最大的存儲芯片制造商，但在代工芯片領域的市場份額遠遠落后于臺積電。
此外，本月初，有消息稱，三星計劃在明年推出先進的3D芯片封裝技術，以更好地與對手競爭。消息人士稱，該技術被稱為“SAINT”（即Samsung Advanced Interconnection Technology，三星先進互連技術），將以更小的尺寸集成AI芯片等高性能芯片所需的存儲和處理器。
業內人士表示，三星成立了一個新的芯片工藝技術開發部門，由該公司半導體業務負責人Kyung Kye-hyun領導。在本周一的高層人事調整中，Kyung Kye-hyun保留了聯席首席執行官兼DS部門負責人的職位。此外，他還被任命為三星先進技術研究院（SAIT）的負責人。
新部門的推出是三星努力在AI芯片領域占據領先地位所采取舉措的一部分。根據Gartner的數據，該領域預計到2027年將從今年的534億美元增長到1194億美元。
然而，三星在高帶寬存儲器（HBM）和DDR5 DRAM等先進存儲芯片市場上落后于另一家韓國本土競爭對手SK海力士（SK Hynix）。
HBM是一種高容量、高性能的半導體芯片，可用于支持ChatGPT等生成式AI設備、高性能數據中心和機器學習平臺，對HBM的需求正在飆升。
業內人士表示，隨著三星電子的業務重點從存儲芯片擴展到代工和芯片設計，包括優秀研究人員在內的投資資源已經分散到更先進的芯片工藝技術上。
