光刻膠巨頭計劃漲價，我們何時能擁有自己的光刻膠？

據(jù)韓媒報道，業(yè)內人士透露，日本住友化學子公司東友精密化學向韓國半導體企業(yè)表示，由于原材料和勞動力成本上漲，擬提高氟化氪（KrF）和L線光刻膠價格，增幅因產品而異，約為10%-20%。

光刻膠是半導體制作的關鍵材料，能夠利用光化學反應，經(jīng)過曝光、顯影等光刻工藝，將所需微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上。半導體光刻膠品種眾多，包括EUV光刻膠、ArF光刻膠、KrF光刻膠、I/G線光刻膠。本次提價涉及的KrF光刻膠屬于高端光刻膠，是未來國內外廠商的主要競爭市場之一。

長久以來，光刻膠市場主要由東京應化、杜邦、JSR、住友化學和DONGJIM等幾大公司把持，尤其是在半導體光刻膠領域，壟斷程度更高。


光刻膠技術門檻極高

據(jù)悉，光刻膠產業(yè)專業(yè)化和精細化程度非常高，光刻膠的研發(fā)是一個不斷進行配方調試的過程，配方研發(fā)是通過成百上千的樹脂、光酸和添加劑的排列組合嘗試出來的，且難以通過現(xiàn)有產品反向解構出其配方，配方是一個企業(yè)的核心商業(yè)機密。此外，從實驗室走出來，到穩(wěn)定量產也是行業(yè)的技術壁壘之一，需要穩(wěn)定的確保光刻膠的純度和性能。這也導致光刻膠的技術門檻非常高。

除了技術門檻之外，光刻膠還有極高的客戶壁壘。光刻膠廠商購買原材料之后，需要通過調配光刻驗證，得到大致實驗結果后再進行微調，不斷重復試驗之后，才能達到客戶的性能要求，并適配產線，這個過程可能需要花費1至3年。這就導致光刻膠企業(yè)與客戶之間有很強的黏性，不愿導入新的供應商，主要在于過程繁瑣、耗時較長。

在技術和客戶雙重壁壘下，光刻膠企業(yè)就具有了極大話語權。對于此次光刻膠漲價，韓國半導體業(yè)界反應較大，但是無奈還是要接受漲價的事實。有代工行業(yè)業(yè)內人士表示，“如果光刻膠價格上漲，代工廠別無選擇，只能將一部分成本轉嫁給客戶（無晶圓廠）”，并補充說，“東友精密化學光刻膠價格上漲可能會導致代工廠和整個無晶圓廠行業(yè)盈利能力惡化。”


干式光刻膠或將成為破局關鍵

市場調研機構TECHCET在報告中表示，隨著半導體先進制程的競爭越來越激烈，以及EUV制程層數(shù)的增加，光刻膠材料市場規(guī)模激增。其中，干式光刻膠成為廣受關注的新型EUV光刻材料之一，相比傳統(tǒng)濕式光刻膠能顯著降低生產成本，能源消耗更少，且原料需求量比以往大幅度減少。

隨著芯片尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)的濕式光刻膠開始遇到技術瓶頸，這也給了干式光刻膠市場機會。

據(jù)悉，傳統(tǒng)的濕式光刻膠的化學成分容易造成光子散射，因此若想實現(xiàn)大劑量的曝光，需要增加光刻機的功率，而這一舉動也會大大影響光刻機的工作效率。對此，業(yè)內曾提出兩種解決方案。一種是將光源提高到500W～1000W，并因此獲得更高的能量來確保量產，但目前500W以上的光源仍在研發(fā)中。而第二種解決方案，便是通過改善EUV光刻膠技術，來實現(xiàn)曝光功率以及機器工作效率的平衡，干式光刻膠也因此受到市場的關注。

據(jù)了解，日本的東京電子、JSR集團等光刻膠巨頭企業(yè)生產的均為傳統(tǒng)的濕式光刻膠。而在兩年前，美國公司Lam Research憑借干式光刻膠技術，成功打破了東京電子、JSR集團等巨頭們在光刻膠領域的壟斷，成為“攪局者”，這也讓干式光刻膠正式走進了人們的視野。同時，干式光刻膠的概念也得到ASML、三星、英特爾、臺積電等龍頭企業(yè)的青睞，紛紛與Lam Research針對干式光刻膠領域開展合作研究，尋求平衡曝光功率以及機器工作效率的方法。

國產光刻膠加快替代腳步

近年來，我國一直加快國產光刻膠替代步伐。就現(xiàn)狀來看，我國光刻膠供應鏈依舊存在著較大的不穩(wěn)定現(xiàn)象，G/I線國產化率為10%，高端的KrF、ArF 國產化率不足5%。

我國近年來也涌現(xiàn)了一批光刻膠本土企業(yè)，努力打破國外技術的封鎖。

近日，國內光刻膠龍頭企業(yè)徐州博康宣布，他們研制出的兩款濕法光刻膠已經(jīng)進入產品驗證階段，匹配14納米工藝水平。

這是國產光刻膠歷史上第一個進入該工藝門檻的產品。這兩款光刻膠將先后應用于華為、中芯國際、長電科技等多家龍頭芯片企業(yè)的驗證和試產，填補國內該領域的空白。

此外，徐州博康已形成從I線到ArF線全系列光刻膠產品組合，有能力滿足從深亞微米至14納米各工藝節(jié)點的需求，為國內光刻膠實現(xiàn)本土化打下堅實基礎。

光刻膠技術長期被日本所壟斷，這不僅制約了我國芯片制造的工藝水平，也存在著嚴重的供應鏈安全隱患。國產光刻膠的研制難度很大，需要對數(shù)百種化學材料進行配比試驗，經(jīng)過反復驗證才能成型。

這次國產光刻膠進入14納米工藝領域，打破了日企的技術壁壘，標志著國內已經(jīng)掌握匹配主流工藝的光刻膠自主研發(fā)能力。這對實現(xiàn)芯片產業(yè)鏈的自主可控，保障供應鏈安全具有重大意義。

這次國產光刻膠的重大突破，預示著我國在該領域技術實力正在迅速增強，市場空間廣闊。未來幾年，中國將建成規(guī)模最大的國際先進制造業(yè)集群，對光刻膠等先進材料需求巨大。作為市場主體，我國具有配置更多資源進行本土化的優(yōu)勢。

在波束直寫、EUV等光刻技術不斷更新的背景下，國產光刻膠也將在多個細分領域實現(xiàn)常態(tài)化突破。

在國家“制造2025”戰(zhàn)略指引下，光刻膠等高端材料本土化將形成完整產業(yè)生態(tài)。技術和產業(yè)雙輪驅動的效應將進一步顯現(xiàn)。