中國記憶體擴產(chǎn)腳步不同調(diào)　長鑫、長江存儲各有獨門策略

中國記憶體受到美國管制規(guī)范，長鑫2024年將擴充產(chǎn)能及推動國產(chǎn)設備使用率。長鑫存儲

中美地緣政治情勢拉鋸，中國加速半導體自給自足計畫，DRAM與NAND Flash 2024年擴產(chǎn)腳步不同調(diào)。

其中，長鑫存儲推動18.5奈米制程量產(chǎn)，避開美國商務部對18奈米以下的技術管制，二期新廠將力推中國國產(chǎn)化設備採用率大幅提升，全年產(chǎn)能規(guī)模將逐季成長。

而長江存儲在遭列美國實體清單后，決定將採取自己研發(fā)路徑，3D NAND堆疊制程藍圖已規(guī)畫至300層以上，但關鍵設備進口遭受阻撓，上游材料和設備產(chǎn)能的國產(chǎn)化腳步將成最大挑戰(zhàn)。

中美互動攻防挑戰(zhàn)重重，近期美國政府持續(xù)加大力道管控出口至中國的高階晶片與設備，半導體設備大廠ASML的特定型號機臺許可日前遭到撤銷，包括浸潤式DUV（深紫外光）機臺也面臨斷供。

由于先前市場早陸續(xù)傳出浸潤式DUV的出口許可將遭遇停止發(fā)放，中國客戶加速趕在2023年底拉貨完成，光是在11月從荷蘭進口的微影設備，年增率就高達10倍。

儘管ASML認為出口執(zhí)照撤銷對2023年營運不受影響，業(yè)界透露，此次美國施壓ASML停止出口的微影設備，最終影響的用戶之一就是長江存儲，可能將成為未來擴產(chǎn)的最大變數(shù)，雖然長江存除積極透過國產(chǎn)化零件和設備進行替代，但短期內(nèi)達成效果有限。

由于美國對128層以上NAND Flash設備出口訂下禁止紅線，長江存儲2023年推出“五臺山”為命名的“合規(guī)”產(chǎn)品，刻意將層數(shù)堆疊降至120層，本預期五臺山系列將作為2024年的擴產(chǎn)重點，且預定將增加月產(chǎn)量約3萬~4萬片規(guī)模，然而合規(guī)產(chǎn)品仍難取得美國的管制鬆綁，原先列為實體清單的限制并未解除，產(chǎn)能擴充計畫也將遭受阻礙。

不過業(yè)界透露，中美關係短期內(nèi)難有實質(zhì)修復，長江存儲按照內(nèi)部研發(fā)腳步推進，后續(xù)仍將延續(xù)以中國名山為命名代號的傳統(tǒng)，除了232層的武當山系列，三清山、太行山等陸續(xù)規(guī)畫進行中，而太行山將可望超過300層堆疊，但考量3D NAND堆疊的限制敏感，未來長江存儲將不會刻意對外公布堆疊層數(shù)的進展。

相較于長江存儲的擴產(chǎn)計畫步步受限，供應鏈指出，雖然美國限制中國採購18奈米以下的DRAM設備，但長鑫存儲也向美國官方提出說明，對外號稱的17奈米制程并未符合實際水準，如今則採取18.5奈米制程進行擴產(chǎn)，符合美國商務部的限制規(guī)范，日前自行研發(fā)LPDDR5 DRAM 記憶體進入量產(chǎn)后，2024年將逐步針對合肥二期新廠推動擴產(chǎn)計畫。

據(jù)指出，長鑫的合肥1期廠區(qū)已接近滿產(chǎn)，單月規(guī)模達10萬片左右，北京廠也在2023年逐步放量，2024年上半將達到單月3萬片規(guī)模。

至于合肥2期廠區(qū)也持續(xù)進行中，并針對中國的國產(chǎn)設備逐步導入落地，以加速設備國產(chǎn)化使用率提高，業(yè)界透露，由于長鑫18.5奈米制程未遭限制，引進國產(chǎn)機臺后，生產(chǎn)良率也順利調(diào)升，2024年資本支出將大幅成長。

若合肥二廠在年底提升至4萬片月產(chǎn)能，屆時長鑫將有機會在全球DRAM產(chǎn)能站上10%市佔率，中長期規(guī)畫將朝向30萬片擴產(chǎn)規(guī)模。