意法半導體突破20納米技術節點，提升新一代微控制器的成本競爭力

? 首款采用新技術的 STM32 微控制器將于 2024 下半年開始向部分客戶出樣片
? 18nm FD-SOI制造工藝與嵌入式相變存儲器(ePCM)組合，實現性能和功耗雙飛躍

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數字外設。基于新技術的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。

意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示：“作為處于半導體行業前沿的創新企業，意法半導體率先為客戶帶來汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術。我們的下一步行動是，從下一代 STM32 微控制器開始，讓工業應用開發者也能享受到這兩項先進技術帶來的諸多好處。”

技術優勢

與目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存儲器 (eNVM) 技術相比，集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工藝極大地提高了關鍵的品質因數：

? 性能功耗比提高 50% 以上
? 非易失性存儲器 (NVM)密度是現有技術的2.5 倍，可以在片上集成容量更大的存儲器
? 數字電路密度是現有技術的三倍，可以集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及最先進的安全保護功能
? 噪聲系數改善 3dB，增強了無線 MCU 的射頻性能

該技術的工作電源電壓是3V，可以給電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，是20 納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術。

該技術的耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限已經過汽車市場的檢驗，能夠滿足工業應用對可靠性的嚴格要求。