ASML攤牌：1.4nm、0.5nm、0.2nm芯片時，才要換EUV光刻機

目前ASML對外大規(guī)模發(fā)售的光刻機叫做標準光刻機，也可稱之為LOW NA EUV，意思就是其數(shù)值孔徑是較低值的，所以稱之為LOW，NA=0.33。

這種光刻機主要用于7nm及以下芯片的制造，至于往下能夠支持到多少納米？ASML沒有說。

而按照晶圓廠的做法，intel計劃在2nm時，換成新的光刻機，也就是High NA EUV光刻機。

而臺積電則計劃繼續(xù)用LOW NA EUV光刻機，并且臺積電認為，哪怕是到1.6nm時，還會繼續(xù)使用LOW NA EUV光刻機，因為這樣便宜，不需要更換。

畢竟一臺High NA EUV光刻機，需要3.5億歐元，而一臺LOW NA EUV只需要1.5億歐元左右，成本低很多。

那么LOW NA EUV究竟能用到什么工藝？近日，ASML攤牌了，稱LOW NA EUV的數(shù)值孔徑是0.33，可以打印13nm左右的線寬，最多可以制造2nm的芯片。

但是，往下還可以通過多重曝光技術(shù)來實現(xiàn)，但支持到2027年量產(chǎn)的1.4nm將會是極限，再多重曝光就不行了。

接下來，就必須更換光刻機，使用High NA EUV，這種光刻機的數(shù)值孔徑達到0.55，所以也稱之為高數(shù)值孔徑光刻機。

NA=0.55時，可以打印8nm左右的線寬，這樣可以支持到2029年1nm制程的量產(chǎn)，而如果再采用多重曝光，則可以支持到2033年來量產(chǎn)的5埃米（0.5nm）制程節(jié)點。

然后就必須現(xiàn)的光刻機了，再下一代EUV光刻機是 Hyper NA EUV，稱之為超級，是因為其NA=0.75，比0.55還要更高了。

而采用0.75NA的Hyper NA EUV光刻機，或許可以支持到2埃米（0.2nm）以下的制程節(jié)點，至于再往下，ASML自己也不清楚，會不會有也搞不清楚。

有意思的是，雖然ASML規(guī)劃了這種NA=0.75的EUV光刻機，但ASML也確定自己能不能生產(chǎn)的出來，因為ASML自己也表示，要NA=0.75，還需攻克很多難題，目前ASML還沒有攻克的，可能需要10來年時間攻克，也許永遠攻克不了。

可能很多人就有疑問了，一個硅原子的直徑大概就在1埃米（0.1nm）左右，芯片工藝真的能夠達到0.2nm么？感覺不可能啊。

事實上，大家要弄清楚一個事實，那就是當工藝進入28nm之后，所有的工藝其實是等效工藝，這個0.2nm并不是指線寬，柵極寬度，金屬間距等，都與0.2nm沒有關(guān)系了，XX納米只是一種說法，并不是一個物理指標。

3nm時的晶體管的金屬間距為22nm（45nm/2），而0.2nm芯片，對應的晶體管的金屬間距為大約在16-12nm，0.2nm以下制程以下，金屬間距才會進一步縮小到14-10nm。

EUV光刻機分辨率，只要能搞定這個間距間距就可以了，所以，實際上目前關(guān)于3nm、2nm、1nm等工藝，大家也不必太認真，只是一種營銷上的說法。

但不管怎么樣，從現(xiàn)在的情況來看，EUV光刻機機，也慢慢的走向末路了，哪怕XX納米只是營銷上的說法，也難以再前進了……

畢竟當0.2nm時，只有2個原子的大小了，到時候現(xiàn)有的光刻技術(shù)路線必然會終結(jié)。