兆易創(chuàng)新首款自研DRAM實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 有望分享行業(yè)高景氣

兆易創(chuàng)新今日宣布，首款自有品牌4Gb DDR4產(chǎn)品GDQ2BFAA系列現(xiàn)已量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)、流片，到封測(cè)、驗(yàn)證的全面國(guó)產(chǎn)化，助力國(guó)產(chǎn)自主供應(yīng)生態(tài)圈的發(fā)展構(gòu)建。

兆易創(chuàng)新副總裁、DRAM事業(yè)部總經(jīng)理胡洪表示，首款自有品牌DRAM產(chǎn)品標(biāo)志著兆易創(chuàng)新正式入局DRAM這一主流存儲(chǔ)市場(chǎng)；未來(lái)公司將加速DRAM產(chǎn)品線布局，陸續(xù)推出DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列產(chǎn)品。

去年以來(lái)，5G、消費(fèi)電子、AI、物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)快速發(fā)展，疊加疫情下居家辦公、遠(yuǎn)距學(xué)習(xí)模式，存儲(chǔ)需求大幅拉高，推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)。存儲(chǔ)大廠美光CEO也看好產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)需求，指出NAND和DRAM供給面緊俏態(tài)勢(shì)將延續(xù)至2022年。

供需缺口拉大下，存儲(chǔ)芯片一路上漲。其中，DRAM Flash Q2報(bào)價(jià)漲幅已進(jìn)入全年峰值，從4月至6月累計(jì)漲幅將達(dá)到20~25%。另有業(yè)內(nèi)人士預(yù)估，Q3 NAND Flash合同市場(chǎng)價(jià)漲幅甚至有望超過(guò)DRAM。

IC Insights預(yù)計(jì)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將持續(xù)4年高景氣度，2020-2025年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)10.6％。其中，DRAM和NAND閃存會(huì)是2021年增長(zhǎng)最快的兩個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)中DRAM產(chǎn)品占比約53%，NAND則約為42%。中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模超3000億元，DRAM和NAND合計(jì)占比達(dá)98%。

然而，存儲(chǔ)器行業(yè)目前主要被海外公司壟斷，大陸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)較晚，因此作為全球存儲(chǔ)最大市場(chǎng)，自給率幾乎為零，國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。

NAND方面，國(guó)內(nèi)廠商已有布局。國(guó)金證券6月3日指出，SLC 是進(jìn)入MLC、TLC 及 3D的必經(jīng)之路，國(guó)內(nèi)廠商具備本土化優(yōu)勢(shì)，可以穩(wěn)步占據(jù)供應(yīng)鏈關(guān)鍵位置。

DRAM領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商也已開(kāi)啟加速追趕，主要廠商包括兆易創(chuàng)新、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫、紫光南京等。其中，國(guó)金證券上述研報(bào)指出，兆易創(chuàng)新首款自研DRAM主要面向IPC、TV等消費(fèi)類(lèi)利基市場(chǎng)，由于工藝制程先進(jìn)，產(chǎn)品具備強(qiáng)勁市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，收獲期在望。

此外，業(yè)內(nèi)分析人士表示，我國(guó)已出臺(tái)一系列產(chǎn)業(yè)政策推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化比例提升持續(xù)加速。