理想自研功率模塊公布！無外露端子設計亮眼

電子發燒友網報道（文/梁浩斌） 2025年6月13日，在第17屆國際汽車動力系統技術年會（TMC2025）上，理想汽車首次公開其歷時3年半研發的自研高壓碳化硅（SiC）功率模塊LPM（Li Power Module），并宣布該模塊將于7月搭載于旗艦純電車型理想i8首發上市，未來還會陸續搭載在理想所有純電車型上。

來源：理想汽車

理想LPM模塊的核心價值在于系統級能效優化。通過降低“系統寄生電感”這一隱形損耗源，理想團隊將電流回路的等效串聯電感（ESL）優化至約10nH，較行業平均水平降低50%。

來源：理想汽車

這一改進源于多維度技術創新：半橋內部電氣設計優化、無端子高壓連接技術、高精度AMB直接激光焊工藝，以及母排三維空間疊層設計等技術組合，顯著縮小了電流回路面積。以理想i8為例，該模塊使整車續航在SiC技術本身提升6%（約40公里）的基礎上，進一步增加1%（約7公里），實現總續航提升7%的技術飛躍。

來源：理想汽車

在空間優化方面，理想汽車顛覆傳統功率模塊設計范式。其革命性內部開窗設計徹底摒棄外露功率端子和螺栓連接方式，直接在模塊本體開窗實現大電容與銅排的精準嵌套。這一創新使模塊占地面積縮減50%，Y向尺寸減小40mm，為后排乘客釋放出寶貴的頭部與腿部空間
。這種設計需要功率模塊、電機控制器、電驅動總成與整車的跨層級聯合開發能力，同時克服了塑封過程中開窗邊緣穩定性控制、超薄覆銅基板多點激光焊接等工藝難題。

在質量管控領域，理想汽車構建了覆蓋全產業鏈的精密制造體系。從芯片級激光焊接到模塊級潔凈度控制，再到整車級可靠性驗證，其生產流程融入多項“黑科技”——包括遠超行業標準的加速老化測試、多維度視覺與電氣檢測技術，以及高度自動化產線保障的質量一致性
。目前，理想已建成蘇州斯科半導體基地，規劃總投資10億元用于SiC模塊研發生產，一期產線已于2024年底通線，支撐800V高壓平臺車型的規模化落地。

理想汽車的技術突破折射出新能源汽車行業對功率模塊的深度布局。東風汽車與芯聯集成聯合開發的自研SiC模塊采用雙面散熱封裝技術，系統效率突破99%；比亞迪依托IGBT 4.0芯片持續優化模塊集成度，其最新一代模塊體積比達到0.35kW/cm3的行業領先水平。特斯拉Model 3/Y搭載的SiC模塊則通過單管芯片封裝技術實現高性能，為行業提供重要技術參考。

值得關注的是，車企與半導體企業的深度協同正在加速技術迭代。理想汽車與中車時代半導體合作開發的XPM增程功率模塊預計2026年量產，可適配400V-800V全電壓平臺；與三安光電合資的湖南三安基地則專注于SiC襯底材料研發，規劃年產60萬片碳化硅晶圓，為高壓平臺車型提供穩定供應保障。

盡管SiC模塊優勢顯著，但成本與可靠性仍是行業痛點。當前SiC襯底成本為硅基器件的5-8倍，且車規級模塊需經歷長達3-5年的可靠性驗證。對此，理想汽車通過仿真驗證平臺建設加速技術落地——其失效分析實驗室可模擬10年工況加速測試，確保產品可靠性。此外，上汽等車企正探索SiC與IGBT混合封裝方案，在控制成本的同時實現性能平衡。

從技術演進趨勢看，雙面散熱封裝、三維封裝集成、芯片級智能驅動等創新方向正在興起。東風汽車展示的雙面散熱SiC模塊可將熱阻降低30%以上；而特斯拉提出的單管芯片封裝技術則通過減少內部互連環節提升可靠性。這些探索預示著功率模塊將向更高集成度、更優熱管理、更低系統成本方向持續進化。