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              “中國創(chuàng)造“再突破-晶訊聚震無侵權(quán)專利FBAR UHF & TF-SAW濾波器取得重大突破

              2025-07-28 來源:晶訊聚震 原創(chuàng)文章
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              關(guān)鍵詞: TF-SAW濾波器 單晶FBAR高頻濾波器 無IP侵權(quán) 性能突破 全流程工藝

              常州晶訊聚震科技有限公司宣布在其完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),基于核心專利襯底的TF-SAW濾波器多款產(chǎn)品和單晶FBAR高頻濾波器完成重大突破:

              核心突破一:無侵權(quán)TF-SAW雙工器/四工器量產(chǎn),性能與成本雙優(yōu)

              · 自主專利襯底,打破壁壘: 晶訊成功量產(chǎn)多款基于非Soitech POI襯底,自主生產(chǎn)6英寸COI TF-SAW雙工器與四工器(覆蓋B66/B25/B7/B25+66+70等關(guān)鍵頻段),其襯底結(jié)構(gòu)專利顯著區(qū)別于村田(Murata)與Soitec,確保完全無IP侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)

              · 性能卓越,尺寸靈活: 量產(chǎn)產(chǎn)品尺寸為1.6mm x 1.2mm,并同時(shí)滿足1.4mm x 1.1mm的客戶需求。在量產(chǎn)性能和一致性上取得實(shí)現(xiàn)重大突破, Typical IL<-1.6db. (圖一),溫度漂移系數(shù)**<5ppm/℃**,滿足車規(guī)級(jí)可靠性

              · 成本優(yōu)勢顯著: 晶訊自主生產(chǎn)的COI襯底在晶圓端實(shí)現(xiàn)了接近30%的成本遞減,為終端客戶提供更高性價(jià)比的射頻前端解決方案,滿足手機(jī)與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對(duì)高性能濾波器的爆炸性需求。

              圖1 .B25DPX實(shí)測新能

              目前晶訊正努力的擴(kuò)大產(chǎn)能,在2025年Q3滿足更多終端客戶的量產(chǎn)需求。

              核心突破二:單晶FBAR UHF WiFi 6/7新能突破壁壘

              ·WiFi 6/7全覆蓋:量產(chǎn)的單晶FBAR濾波器實(shí)現(xiàn)高頻段全覆蓋:

              ·WiFi 6FB中心頻率(f0 ):5503MHz, 帶寬(BW):665MHz,

              ·WiFi 7FB中心頻率(f0) 6535MHz,帶寬(BW) 1180MHz

              ·性能全面領(lǐng)先:在插入損耗(IL)、帶外抑制及功率承載等核心指標(biāo)上取得革命性突破

              ·卓越的功率承載: WiFi 7FB實(shí)測可承載高達(dá)36dBm功率(調(diào)制模式QPSK,帶寬10MHz),滿足最嚴(yán)苛應(yīng)用場景。

              ·超低插損與高抑制: 顯著優(yōu)于國際競品,完美解決多頻段共存干擾難題。

              ·無IP侵權(quán)”單晶高摻雜外延技術(shù):專利的單晶高摻雜AlScN POI晶圓與獨(dú)特設(shè)計(jì),掌握從單晶外延、前道制程到封裝的全流程自主技術(shù),核心專利已獲美國及多地區(qū)授權(quán)。

              該系列產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)WiFi 6GHz全覆蓋、將廣泛應(yīng)用于5G智能手機(jī)、可穿戴產(chǎn)品、CPE、近地軌道衛(wèi)星通信、WiFi 6無線路由器、無人機(jī)、工業(yè)機(jī)器人、筆記本電腦等產(chǎn)品終端,兩顆物料封裝尺寸分別為1.4 mm*1.1mm和1.8mm*1.4mm(與國外主流品牌Pin腳兼容),

              圖2 產(chǎn)品實(shí)物:WiFi 6 FB 1.4mm x 1.1mm(左);WiFi 7 FB 1.8mm x 1.4mm(右)

              圖3 晶訊WiFi 6 FB濾波器實(shí)測性能

              圖4 晶訊WiFi 7 FB濾波器實(shí)測性能

              同時(shí)為滿足客戶的更高功率的承載要求,CRT WiFi 7FB實(shí)際可承載功率為36dbm, 和國際大廠Q B83xx在客戶端的實(shí)際測試對(duì)比詳見下表

              圖5 測試條件:調(diào)制模式QPSK,測試帶寬10MHz

              晶訊聚震創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Dror Hurvits 表示:“晶訊聚震致力于讓客戶體驗(yàn)更完美的信號(hào)傳輸通訊,COI TF-SAW和WiFI 6&& FBAR性能上的突破,這代表了世界領(lǐng)先的濾波器工藝技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)!這兩個(gè)系列的i濾波器均利用了晶訊聚震“無IP侵權(quán)”的專利術(shù),掌握了從單晶外延片、前道制程、后端MEMS工藝和封裝的全流程工藝技術(shù),產(chǎn)品不僅全部中國制造,重要的是,它也是中國創(chuàng)造,所有自主專利已獲美國和其他地區(qū)授權(quán)。同時(shí),晶訊目前正在導(dǎo)入多家領(lǐng)先的WiFi SoC和OEM供應(yīng)商提供高性能的WiFi6 FB & WiFi7 FB共存濾波器?!?/p>

              截止目前晶訊已可以為海外和國內(nèi)客戶提供以下7款高頻濾波器,滿足客戶需求 (圖6)

              圖6-晶訊部分已量產(chǎn)的高頻FBAR濾波器

              晶訊聚創(chuàng)自成立以來持續(xù)迭代的單晶襯底技術(shù)和大量的專利授權(quán),晶訊聚震已完成4大類的產(chǎn)品布局,

              A. 用于Sub-3G以下頻段的TF-SAW;

              B. 超高頻率的單晶XOI BAW;

              C. Sub-6G的高頻大功率 MCM-FBAR;

              D. 5G&WiFI 頻段的單晶 POI-FBAR。

              圖7 晶訊創(chuàng)新的單晶濾波器架構(gòu)

              晶訊聚震依托公司自有專利的單晶壓電FBAR及COI材料、設(shè)計(jì),制造先進(jìn)的濾波器,公司位于天津的1600平方米晶圓廠專注于制造高性能壓電外延,具備對(duì)以壓電外延薄膜為基礎(chǔ)制造的濾波器進(jìn)行射頻測試及調(diào)頻的能力,常州工廠完成晶圓的最終加工,公司產(chǎn)品覆蓋了中高頻的濾波器、雙工器、多工器以及混合濾波器。




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