三星、SK海力士進(jìn)入“谷歌鏈”，存儲(chǔ)市場繼續(xù)上漲

近日，有韓媒報(bào)道，韓國兩大存儲(chǔ)巨頭——三星電子與SK海力士，已正式成為谷歌第七代張量處理單元（TPU）供應(yīng)鏈中的核心供應(yīng)商。

其中，SK海力士或成為谷歌第七代TPU內(nèi)部HBM3E 8層芯片的首選供應(yīng)商，并將獨(dú)家為第七代改進(jìn)型產(chǎn)品（TPU 7e）提供HBM3E 12層芯片，以顯著提升能效比與數(shù)據(jù)吞吐能力。

此前，有消息稱，Meta正與谷歌展開深度磋商，計(jì)劃于2027年斥資數(shù)十億美元采購谷歌自研的TPU（張量處理單元）芯片，并部署于其自有數(shù)據(jù)中心；更早從2026年起，Meta還可能先行租用谷歌云上的TPU算力資源。

據(jù)韓國投資證券分析師預(yù)測，2025年SK海力士將占據(jù)谷歌TPU中HBM供應(yīng)量的56.6%，三星電子則占43.4%；而Meritz Securities更為樂觀，認(rèn)為SK海力士的份額或?qū)⒏哌_(dá)60%。

長期以來，HBM市場高度依賴英偉達(dá)GPU的需求拉動(dòng)。然而，隨著谷歌自研TPU的快速迭代和大規(guī)模部署，這一格局正被打破。據(jù)悉，每顆TPU內(nèi)部集成6至8個(gè)HBM模塊，其擴(kuò)展速度直接決定HBM的整體需求量。

KB證券指出，谷歌正通過TPU強(qiáng)化其AI生態(tài)系統(tǒng)，未來第八代TPU預(yù)計(jì)將采用HBM4，這將進(jìn)一步推高對(duì)先進(jìn)HBM的需求。在此背景下，三星電子明年的HBM供應(yīng)量有望較今年翻倍以上，并帶動(dòng)其尖端晶圓代工廠產(chǎn)能利用率提升。

HBM需求的爆發(fā)不僅限于谷歌。韓國投資證券強(qiáng)調(diào)，Meta、亞馬遜AWS等科技巨頭也在加速開發(fā)定制AI芯片，這些芯片同樣高度依賴HBM作為內(nèi)存解決方案。多重終端需求疊加，使得HBM成為DRAM廠商技術(shù)升級(jí)與利潤增長的核心引擎。

面對(duì)旺盛需求，存儲(chǔ)原廠的戰(zhàn)略重心正從單純擴(kuò)產(chǎn)轉(zhuǎn)向高附加值產(chǎn)品的深度布局。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年全球DRAM資本支出預(yù)計(jì)達(dá)537億美元，2026年將增至613億美元，同比增長14%；NAND Flash資本支出也將小幅增長至222億美元。

然而，當(dāng)前行業(yè)無塵室空間已接近物理瓶頸，除三星與SK海力士尚有有限擴(kuò)線能力外，其他廠商難以快速提升產(chǎn)能。這意味著即便資本開支增加，2026年實(shí)際新增產(chǎn)能仍將受限。

供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上行。中泰證券判斷，受AI推理需求爆發(fā)驅(qū)動(dòng)，2026年全年存儲(chǔ)市場將處于“供需偏緊”狀態(tài)。事實(shí)上，自2025年第三季度起，不僅主流DRAM與NAND價(jià)格上漲，利基型存儲(chǔ)如SLC/MLC NAND、NOR Flash等也已全面進(jìn)入漲價(jià)通道。

責(zé)編：Jimmy.zhang