邁為股份：公司高選擇比刻蝕設(shè)備及混合鍵合設(shè)備等可用于DRAM工藝

12月1日，邁為股份（300751.SZ）在投資者互動平臺回答提問時表示，目前公司高選擇比刻蝕設(shè)備及混合鍵合設(shè)備等可用于DRAM（高帶寬存儲器HBM）工藝。公司稱，相關(guān)設(shè)備能夠覆蓋部分先進存儲制程需求，為客戶在高性能存儲領(lǐng)域的擴產(chǎn)與技術(shù)迭代提供裝備支持。

根據(jù)公司披露，邁為股份的刻蝕和薄膜沉積設(shè)備已廣泛應(yīng)用于存儲芯片、邏輯芯片制造等領(lǐng)域，在多類晶圓制造產(chǎn)線上實現(xiàn)批量導(dǎo)入和穩(wěn)定運行。此次特別提及可服務(wù)于DRAM及HBM工藝的高選擇比刻蝕和混合鍵合設(shè)備，進一步體現(xiàn)公司在半導(dǎo)體前道關(guān)鍵工藝裝備上的產(chǎn)品覆蓋能力。

高帶寬存儲器HBM作為面向高性能計算、AI訓(xùn)練等場景的關(guān)鍵存儲產(chǎn)品，對工藝精度、層間互連和良率控制提出了更高要求。刻蝕與混合鍵合等環(huán)節(jié)設(shè)備性能，將直接影響堆疊結(jié)構(gòu)的一致性與信號傳輸效率，相關(guān)設(shè)備進入HBM供應(yīng)鏈，有望提升本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商在存儲升級周期中的參與度。

從更廣業(yè)務(wù)布局看，邁為股份在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域持續(xù)投入，在刻蝕、薄膜沉積等環(huán)節(jié)形成一定產(chǎn)品組合和客戶基礎(chǔ)，并通過與晶圓廠合作不斷優(yōu)化工藝適配性和量產(chǎn)穩(wěn)定性。公司在互動平臺強調(diào)，將繼續(xù)圍繞存儲與邏輯芯片客戶需求完善產(chǎn)品線布局，抓住先進制程和新型存儲器發(fā)展的窗口期。

分析人士指出，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)切入DRAM及HBM工藝環(huán)節(jié)，有望受益于存儲技術(shù)升級與國產(chǎn)替代趨勢，但訂單釋放節(jié)奏仍受下游資本開支周期、驗證周期長短以及國際競爭格局等因素影響。邁為股份相關(guān)設(shè)備的后續(xù)放量情況，仍需觀察客戶認證進展及行業(yè)景氣度變化，投資者應(yīng)在關(guān)注技術(shù)突破的同時，理性評估市場與業(yè)績的不確定性風(fēng)險。

（校對/秋賢）