三星西安廠已量產第八代236層NAND閃存

三星電子已在其位于中國西安的工廠開始量產第八代236層NAND閃存（V8），這標志著該公司向更高層數存儲器轉型邁出關鍵一步，以滿足人工智能（AI）應用日益增長的需求。

三星已使用236層產品取代原有的第六代128層NAND閃存（V6），并正在逐步提高產量。此次轉型反映了老一代NAND產品被逐步淘汰。

通過堆疊存儲單元實現更高的層數，可以提高存儲密度和效率。三星此前一直在西安工廠生產128層NAND閃存，但隨著市場對舊產品的需求疲軟，該公司開始向新技術轉型。

三星計劃在2026年之前完成西安第二工廠向第九代286層NAND閃存（V9）的過渡，并開始全面量產。該公司還在其韓國工廠準備生產400層以上的下一代NAND閃存（V10）技術。

據G-enews援引監管文件和行業數據報道，三星2025年在西安NAND閃存生產線投資4654億韓元（約合3.2億美元），較上年增長67.5%。該工廠的產能約占三星NAND閃存總產量的40%，也是其唯一的海外NAND閃存生產基地。

業內人士表示，供應趨緊，一些估計表明DRAM和NAND閃存的計劃產量已基本售罄。瑞銀預測，在AI相關需求的推動下，到2026年，全球半導體市場規模可能超過1萬億美元。

三星加速轉型也反映了地緣政治和供應鏈方面的制約因素。業內人士表示，美國收緊對中國先進半導體設備出口的限制，使得將尖端設備引入中國變得更加復雜。

盡管三星擁有“認證最終用戶”（VEU）資格，在設備出貨方面享有一定的靈活性，但現在必須每年重新獲得審批，這增加了運營的不確定性。

與此同時，用于AI基礎設施的企業級固態硬盤（SSD）需求持續增長，推動了對更高性能NAND閃存的需求。（校對/趙月）