SK海力士向戴爾供應321層QLC固態硬盤，搶灘AI PC存儲市場

4月8日，全球存儲巨頭SK海力士（SK hynix）宣布，已開始向客戶批量供應其最新款消費級固態硬盤（cSSD）——PQC21。這款產品是業內首款基于321層四層單元（QLC）NAND閃存技術的終端存儲解決方案，標志著SK海力士在AI PC存儲領域的布局邁入實質性階段。

根據官方消息，SK海力士已于本月率先向戴爾啟動批量供貨，并計劃逐步拓展與其他全球頭部客戶的合作。

PQC21的核心在于其將321層超高堆疊技術與QLC架構相結合。QLC NAND閃存每個存儲單元可存儲4位數據，相比傳統的單層單元（SLC）和三層單元（TLC），在相同物理尺寸下能實現更高的存儲密度和容量效率。

SK海力士方面表示：“供應基于321層QLC的cSSD將成為SK海力士在AI PC市場展示NAND解決方案能力的一個里程碑。我們將繼續通過技術進步引領高性能NAND解決方案市場。”

這款產品采用緊湊的M.2 2230外形尺寸，提供1TB和2TB兩種容量選擇，適用于筆記本電腦和迷你主機等空間受限的設備。其內部通過321層4D結構堆疊了數千億個QLC單元，并采用了PUC（Periphery Under Cell）架構，將外圍電路置于存儲單元陣列下方，有效縮小了芯片體積。

此外，PQC21還應用了DP（Die Packaging）芯片封裝技術，將多個321層NAND芯片集成到單一芯片中，進一步提升了單位面積的存儲密度。

盡管QLC技術在存儲密度上優勢顯著，但其寫入速度和耐用性一直被認為落后于TLC。為解決這一行業共性難題，SK海力士為PQC21配備了SLC緩存技術。

該技術將數據先臨時寫入速度更快的模擬SLC（pSLC）緩存區域，待系統空閑時再遷移至QLC主存儲區，從而有效提升寫入性能，確保在AI PC等高負載場景下的流暢體驗。

SK海力士此次發力QLC消費級固態硬盤，旨在搶占下一代AI PC市場的存儲主導權。AI PC需要在本地運行大型AI模型，對存儲容量和數據處理速度提出了比傳統PC更高的要求。

市場研究機構IDC的預測數據也印證了這一趨勢。IDC預計，QLC NAND閃存在全球cSSD市場的份額將從2025年的22%顯著增長到2027年的61%，取代TLC成為市場主流。

早在2025年8月，SK海力士便已宣布完成321層2Tb QLC NAND閃存的開發并投入量產，成為全球首個實現超過300層QLC技術商用的企業。