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              ASML定調(diào)2027產(chǎn)能翻倍:EUV光刻機(jī)不再是掣肘

              2026-04-17 來(lái)源:電子工程專輯
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              關(guān)鍵詞: ASML 產(chǎn)能 EUV光刻機(jī) 光刻機(jī)

              近日,全球半導(dǎo)體設(shè)備巨頭ASML(阿斯麥)在第一季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上釋放了強(qiáng)烈的市場(chǎng)信號(hào)。面對(duì)人工智能(AI)引爆的芯片需求狂潮,ASML正式確立了“產(chǎn)能倍增”戰(zhàn)略,明確表示將消除EUV光刻設(shè)備可能成為行業(yè)瓶頸的隱憂。

              ASML首席執(zhí)行官克里斯托夫·富凱(Christophe Fouquet)在會(huì)上定調(diào):ASML將通過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)迭代的雙重引擎,確保半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。

              作為全球唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商,ASML的產(chǎn)能直接決定了全球先進(jìn)制程芯片的供給上限。富凱在會(huì)議上給出了明確的產(chǎn)能路線圖:ASML計(jì)劃在2026年將低數(shù)值孔徑(Low-NA)EUV系統(tǒng)的出貨量提升至至少60臺(tái),并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)力,目標(biāo)在2027年將這一數(shù)字提升至至少80臺(tái)。

              這一數(shù)據(jù)相較于2025年的44臺(tái)出貨量實(shí)現(xiàn)了翻倍增長(zhǎng),直接回應(yīng)了市場(chǎng)對(duì)“設(shè)備短缺”的焦慮。富凱強(qiáng)調(diào),公司并不認(rèn)為其工具會(huì)成為制約半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的瓶頸,ASML擁有多種手段,可通過(guò)與客戶的密切合作來(lái)確保穩(wěn)定的供應(yīng)。

              支撐這一激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的底氣,來(lái)自于供應(yīng)鏈韌性的顯著增強(qiáng)。ASML首席財(cái)務(wù)官羅杰·達(dá)森(Roger Dassen)透露,此前困擾行業(yè)的零部件短缺問(wèn)題——尤其是與卡爾蔡司(Zeiss)光學(xué)元件供應(yīng)相關(guān)的挑戰(zhàn)——已得到有效解決。目前,ASML的生產(chǎn)目標(biāo)已明確為每年90套Low-NA EUV系統(tǒng)和600套深紫外(DUV)系統(tǒng)。為了保持靈活性,公司不僅加強(qiáng)了產(chǎn)能和庫(kù)存水平,還在荷蘭總部附近購(gòu)置了新土地,為未來(lái)的工廠擴(kuò)建做好了準(zhǔn)備。

              在現(xiàn)有設(shè)備的優(yōu)化上,ASML旗艦機(jī)型NXE:3800E的制造工藝得到改進(jìn),生產(chǎn)周期縮短,組裝和測(cè)試速度加快。更關(guān)鍵的是,設(shè)備生產(chǎn)效率(Throughput)得到實(shí)質(zhì)性提升,晶圓吞吐量已從每小時(shí)220片提升至230片。這意味著,客戶無(wú)需增加昂貴的設(shè)備采購(gòu)數(shù)量,僅通過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)線的效率升級(jí),也可以獲得額外產(chǎn)能。

              ASML披露了更為詳盡的產(chǎn)品路線圖,展示了其在光刻技術(shù)上的長(zhǎng)期野心:

              ·Low-NA EUV路線:ASML計(jì)劃在2027年推出NXE:3800F,吞吐量超過(guò)260片/小時(shí);2029年推出NXE:4200G,吞吐量突破300片/小時(shí);并計(jì)劃在2031年推出NXE:4200H,實(shí)現(xiàn)每小時(shí)330片的驚人速度。

              ·High-NA EUV路線:面向2nm及以下(A16)制程的NXE:5200C將于2027年面世,吞吐量在160至190片/小時(shí)之間;2029年推出EXE:5200D,主要面向A14制程,量為大于等于175片/小時(shí)或195片/小時(shí);2031年推出EXE:5400E,面向A10及以下制程,量為大于等于180片/小時(shí)或210片/小時(shí)。

              ASML指出,High-NA技術(shù)不僅能提供更高的分辨率,還能顯著簡(jiǎn)化制造流程。據(jù)DRAM和邏輯客戶的反饋,采用High-NA技術(shù)后,所需的掩模版數(shù)量可從3張減少到1張,工藝步驟更是從100步大幅壓縮至10步。

              光刻膠合作伙伴的研究顯示,High-NA EUV已具備擴(kuò)展至邏輯芯片18nm線寬/間距、存儲(chǔ)芯片28nm接觸孔尺寸的能力。這意味著,盡管High-NA設(shè)備單價(jià)高昂,但其在掩模版成本、工藝復(fù)雜度和良率控制上的優(yōu)勢(shì),將為2nm及以下制程的量產(chǎn)提供極高的經(jīng)濟(jì)價(jià)值。




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