SK海力士正式量產(chǎn)192GB容量SOCAMM2， “建立面向AI服務器的存儲器性能新基準”

• 公司正式量產(chǎn)192GB的大容量產(chǎn)品，面向英偉達Vera Rubin平臺設計

• 搭載基于1c納米工藝的高集成度DRAM，實現(xiàn)能效最大化

• “通過與英偉達緊密合作，緩解AI基礎設施的瓶頸問題，提供最優(yōu)性能”

韓國首爾，2026年4月20日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，公司正式量產(chǎn)基于第六代10納米級（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字節(jié)）容量SOCAMM2產(chǎn)品。

SOCAMM2*是一款將主要適用于智能手機等移動端設備的低功耗內(nèi)存，針對服務器環(huán)境進行優(yōu)化的內(nèi)存模塊，主要面向下一代AI服務器等應用場景。

* SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module 2）：一種基于低功耗DRAM的內(nèi)存模塊，具備厚度薄與可擴展性等特性，特別適用于AI服務器。該產(chǎn)品采用壓縮式連接器，可提升信號完整性且易于更換。

SK海力士表示：“公司采用1c工藝的SOCAMM2，是專為高性能AI運算優(yōu)化的解決方案。與傳統(tǒng)的RDIMM*相比，其帶寬提升逾兩倍，功耗降低75%以上。”

* 寄存雙列直插式內(nèi)存模塊（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存儲器模塊的內(nèi)存控制器與DRAM芯片之間增加可中繼地址、命令信號的寄存器（Register）或時鐘緩沖器（Buffer），適用于服務器和工作站的DRAM模塊。

公司特別強調(diào)，該SOCAMM2產(chǎn)品是面向英偉達的Vera Rubin*平臺設計的。

* 英偉達Vera-Rubin介紹網(wǎng)頁：https://www.nvidia.com/en-us/data-center/technologies/rubin/ 

此外，該產(chǎn)品可從根本上緩解數(shù)千億參數(shù)級AI大模型在訓練與推理過程中所面臨的存儲瓶頸*問題，SK海力士期待其助力能夠大幅提升整體系統(tǒng)的處理速度。

* 瓶頸（Bottleneck）：指因某些特定零部件的處理能力受限，導致整個系統(tǒng)性能下降的現(xiàn)象。AI運算過程中，若存儲器的數(shù)據(jù)傳輸速度滯后于GPU運算速度，便會引發(fā)此現(xiàn)象。

公司還表示：“隨著AI發(fā)展從訓練轉向推理階段，支持大型語言模型低功耗運行的SOCAMM2作為下一代存儲器解決方案，正備受矚目。為滿足全球云服務供應商（Cloud Service Provider）客戶需求，公司提前搭建起穩(wěn)定的量產(chǎn)體系。”

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“通過192GB容量SOCAMM2的產(chǎn)品供應，公司建立了面向AI的存儲器性能新基準。公司將與全球AI客戶緊密合作，成為‘客戶最信賴的面向AI的存儲器解決方案企業(yè)’。”