臺(tái)積電2nm產(chǎn)能飽和，三星晶圓代工瞄準(zhǔn)客戶替代需求

全球最大的晶圓代工廠臺(tái)積電公布了破紀(jì)錄的財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)，再次印證大型科技公司對(duì)人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)強(qiáng)勁勢(shì)頭。其營(yíng)收的顯著增長(zhǎng)以及年度資本支出（CAPEX）的上調(diào)被視為AI市場(chǎng)強(qiáng)勁需求的標(biāo)志。對(duì)于三星晶圓代工部門而言，這種情況既是危機(jī)也是機(jī)遇。

臺(tái)積電第一季度凈利潤(rùn)達(dá)到5725億元新臺(tái)幣（約合181億美元），較去年同期增長(zhǎng)58.3%，創(chuàng)歷史新高。其凈利潤(rùn)和第二季度營(yíng)收預(yù)期均超出市場(chǎng)預(yù)期，實(shí)現(xiàn)“盈利驚喜”。這被解讀為大型科技公司對(duì)AI需求不斷增長(zhǎng)的體現(xiàn)。

該公司公布的第二季度營(yíng)收預(yù)期為402億美元，超過市場(chǎng)預(yù)期的381.1億美元。值得注意的是，3nm及以下先進(jìn)工藝占晶圓總銷量的25%。臺(tái)積電宣布，“AI需求依然強(qiáng)勁，2nm工藝已進(jìn)入量產(chǎn)階段，我們正在增加資本支出，擴(kuò)大3nm產(chǎn)能以滿足AI需求。”

為應(yīng)對(duì)不斷增長(zhǎng)的3nm需求，臺(tái)積電還增加了明年極紫外（EUV）光刻設(shè)備的預(yù)訂量。這是由于其2nm和3nm工藝產(chǎn)品訂單不斷增加，這些產(chǎn)品包括高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）基板、語言處理器（LPU）和中央處理器（CPU）。

盡管三星電子正在加速推進(jìn)其2nm領(lǐng)先工藝的發(fā)展，但臺(tái)積電壓倒性的市場(chǎng)主導(dǎo)地位給三星帶來了危機(jī)。然而，隨著臺(tái)積電提高其2nm工藝的量產(chǎn)價(jià)格，三星電子也在努力爭(zhēng)取與大型科技客戶的合作機(jī)會(huì)。三星自3nm工藝以來就采用環(huán)柵（GAA）技術(shù)，據(jù)報(bào)道，其2nm工藝的良率也得到了提升。三星電子計(jì)劃使用其2nm工藝量產(chǎn)移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）Exynos 2600、特斯拉的AI芯片AI5和AI6。

目前，由于全球AI半導(dǎo)體需求激增，臺(tái)積電最先進(jìn)的工藝產(chǎn)能已基本飽和。對(duì)三星而言，一個(gè)利好因素是，那些希望減少對(duì)臺(tái)積電依賴的客戶正在考慮將三星電子作為替代方案。西江大學(xué)電子工程系教授Beom Jin-wook分析道：“隨著AI半導(dǎo)體需求的增長(zhǎng)，僅靠臺(tái)積電無法滿足供應(yīng)。”他補(bǔ)充說：“這對(duì)三星電子的晶圓代工業(yè)務(wù)來說是一個(gè)高增長(zhǎng)潛力的時(shí)期。”

對(duì)于連續(xù)多年虧損的三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)而言，扭虧為盈被視為其面臨的最大挑戰(zhàn)。4月7日，三星電子公布初步季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為57.2萬億韓元（約合389億美元）后，市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)便集中在其非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)（晶圓代工和系統(tǒng)LSI）部門的業(yè)績(jī)上。

證券行業(yè)分析師估計(jì)，三星電子非存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部門的虧損約為1萬億韓元。報(bào)道指出，該部門第一季度虧損已收窄至6000億韓元，并提高了明年實(shí)現(xiàn)盈利的可能性。特別是，分析認(rèn)為，采用4nm工藝生產(chǎn)HBM4基體芯片的產(chǎn)能利用率提升是盈利能力改善的主要貢獻(xiàn)因素。

前景表明，三星晶圓代工業(yè)務(wù)的虧損可能會(huì)逐步收窄，其扭虧為盈的時(shí)間也可能比預(yù)期更早。祥明大學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體工程系教授Lee Jong-hwan表示：“三星電子2nm工藝的良率似乎也已提高到可量產(chǎn)的水平。到今年年底或明年年初恢復(fù)盈利也是有可能的。”（校對(duì)/趙月）